| 主权项 |
1.一种具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,包括:一基底,具有一源极区、一汲极区与位于其间的一通道区;一第一氧化层,位于该通道区上;一氮化层,位于该第一氧化层上;一第二氧化层,位于该氮化层上;一闸极结构,位于该第二氧化层上,其中在该闸极结构底下的该基底中有一区域没有该源极区与该汲极区其中之一;至少一侧壁间隙壁,位于该氮化层上以及邻接该闸极结构,且该侧壁间隙壁具有足以在其下的该基底中形成一反向区域的一介电系数値,以连接在该侧壁间隙壁下面有该源极区、该汲极区与该通道区的该区域;以及其中电荷储存于至少一侧壁间隙壁底下的部分该氮化层内。2.如申请专利范围第1项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中更包括至少一注入点,以注入电子于该氮化层中,其中该注入点位于该通道区以及该源极区与该汲极区其中之一之间的一接合处。3.如申请专利范围第2项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中该注入点是位于该侧壁间隙壁底下。4.如申请专利范围第1项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中该侧壁间隙壁包括氧化钽。5.如申请专利范围第1项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中该介电系数値大于25。6.如申请专利范围第1项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中该介电系数値大概在25至30之间。7.如申请专利范围第1项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中该源极区与该汲极区是n型区域以及该通道区是p型区域。8.如申请专利范围第1项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中该源极区与该汲极区是p型区域以及该通道区是n型区域。9.如申请专利范围第1项所述之具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构,其中在该基底中该闸极结构底下的该区域排除该源极区与该汲极区。10.一种氮化矽唯读记忆元件,包括:一基底,具有一源极区、一汲极区与位于其间的一通道区;一第一氧化层,位于该通道区上;一氮化层,位于该第一氧化层上;一第二氧化层,位于该氮化层上;一闸极结构,位于该第二氧化层上,其中在该闸极结构底下的该基底中有一区域没有该源极区与该汲极区其中之一;复数个侧壁间隙壁,位于该氮化层上以及邻接该闸极结构;以及至少一注入点,以注入电子于该氮化层中,其中该注入点位于该通道区以及该源极区与该汲极区其中之一之间的一接合处,以及其中电荷储存于该些侧壁间隙壁底下的部分该氮化层内。11.如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中该注入点是位于该些侧壁间隙壁其中之一底下。12.如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中该些侧壁间隙壁具有足以在其下的该基底中形成一反向区域的一介电系数値,以连接在该些侧壁间隙壁下面有该源极区、该汲极区与该通道区的该区域。13.如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中该些侧壁间隙壁包括氧化钽。14.如申请专利范围第12项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中该介电系数値大于25。15.如申请专利范围第12项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中该介电系数値大概在25至30之间。16.如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中该源极区与该汲极区是n型区域以及该通道区是p型区域。17.如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中该源极区与该汲极区是p型区域以及该通道区是n型区域。18.如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆元件,其中在该基底中该闸极结构底下的该区域排除该源极区与该汲极区。图式简单说明:第1图是习知一种氮化矽唯读记忆元件;以及第2图是本发明之一较佳实施例之一种氮化矽唯读记忆元件的剖面图。 |
