发明名称 施行以模式为基础用于次波长光学微影之相位平衡型散射栅布局之方法及装置
摘要 本发明系关于一种产生安置有光学接近修正特征之光罩设计的方法。该方法包括以下步骤:获得一具有待成像于一基板上之特征的所需目标图案;基于该目标图案确定一第一干涉图,其界定在待成像之该等特征之至少一个与一邻近该至少一特征之场区域之间的相长干涉之区域;基于由该第一干涉图界定之相长干涉之区域将具有一第一相位之第一组辅助特征置放于该光罩设计中;基于该等第一组辅助特征确定一第二干涉图,其界定在该等第一组辅助特征之多个辅助特征与一邻近该等第一组辅助特征之该等辅助特征之至少一个之场区域之间的相长干涉之区域;及基于由该第二干涉图界定之相长干涉之区域将具有一第二相位之第二组辅助特征置放于该光罩设计中,其中该第一相位不等于该第二相位。
申请公布号 TW200519526 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093126696 申请日期 2004.09.03
申请人 ASML遮盖器具公司 发明人 古龙 辛;前方 陈;汤玛斯 莱丁;克特E 瓦普乐;道格拉斯 范 丹 布鲁克
分类号 G03F1/14 主分类号 G03F1/14
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 荷兰