发明名称 奈米碳管之图腾形成方法
摘要 本发明系提供一种奈米碳管之图腾形成方法制作高解析之图腾化电子发射源层;利用可微影制程之负型光阻材料图腾化制作高解析之荫罩阻隔层,再以喷涂奈米碳管喷涂液形成奈米碳管层,接着以烧结过程移除荫罩阻隔层并同时使图腾化之奈米碳管层固着于阴极导电层以形成电子发射源层,依本发明方法实施之电子发射源层可满足高解析图腾之需求,且以喷涂之制作奈米碳管层,涂层厚度薄,电子产生效率与均匀性均高。
申请公布号 TW200525699 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW093101556 申请日期 2004.01.20
申请人 东元奈米应材股份有限公司 发明人 陈士勋;萧俊彦;萧世坚;李协恒;郑奎文
分类号 H01L21/8232 主分类号 H01L21/8232
代理机构 代理人 谢宗颖;王云平
主权项
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