发明名称 离子布植机及防止不必要之离子植入目标晶圆之使用离子布植机方法
摘要 一种离子布植机,用以植入离子至目标晶圆,包含:离子源;具有固定半径Ram之原子量单位分析磁铁;离子撷取电压源;用以侦测复数布植参数之通讯介面;具有一资料记录之设备伺服器。此离子布植机更包含算术处理器可以决定植入目标晶圆的复数离子之圆弧路径的估计即时半径Re。一种使用离子布植机的方法提供一联锁至该离子布植机,在植入目标晶圆的复数离子每一者之原子量单位上。此方法包含即时决定是否离子布植机将一所需离子植入目标晶圆。并且,此方法决定该Ram与Re之该偏移量绝对值是否大于预定半径容许度L,以及,如果大于L,则校正该离子布植机。
申请公布号 TW200532778 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW094105203 申请日期 2005.02.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 李晨钟;翁睿均;王智杰;高泰坤
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号