| 发明名称 | 器件、封装结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件，封装结构及其形成方法。该半导体器件包括由密封剂密封的管芯、在管芯旁边的导电结构和在导电结构上面的介电层。导电结构包括在密封剂中的通孔、在通孔上面的再分布线层和在再分布线层上面的晶种层。介电层包括开口，其中开口暴露导电结构的表面，开口具有扇形侧壁，并且介电层的底面与开口的侧壁之间的夹角大于60度。 | ||
| 申请公布号 | CN106206511A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610285302.7 | 申请日期 | 2016.05.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈宪伟;苏安治;黄立贤 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：管芯，由密封剂密封；导电结构，位于所述管芯旁边，其中所述导电结构包括在所述密封剂中的通孔，在所述通孔上面的再分布线层和在所述再分布线层上面的晶种层；以及介电层，在所述导电结构上面并且包括开口，其中所述开口暴露所述导电结构的表面，所述开口具有扇形侧壁，并且所述介电层的底面与所述开口的侧壁之间的夹角大于约60度。 | ||
| 地址 | 中国台湾，新竹 | ||