发明名称 - BORON-CONTAINING DOPANT COMPOSITIONS SYSTEMS AND METHODS OF USE THEREOF FOR IMPROVING ION BEAM CURRENT AND PERFORMANCE DURING BORON ION IMPLANTATION
摘要 붕소 이온 주입 동안의 빔 전류를 개선하기 위한 신규한 조성물, 시스템 및 그 방법이 제공된다. 붕소 이온 주입 공정은 특정 농도 범위의 BH, BF및 H를 이용하는 것을 포함한다. BH은 활성 수소 이온 화학종의 생성 및 주입 동안에 이용되는 이온 공급원의 동작 아크 전압에서 BF의 이온화 단면적보다 큰 이온화 단면적을 갖는 것으로 선택된다. 수소는 F 이온 스캐빈징의 감소 없이, 보다 높은 수준의 BH이 BF에 도입되도록 한다. 활성 붕소 이온은 통상의 붕소 전구 물질로부터 발생된 빔 전류와 비교하였을 때, 이온 공급원의 열화 발생 없이 빔 전류 수준의 유지 또는 증가를 특징으로 하는 개선된 빔 전류를 발생시킨다.
申请公布号 KR20160144966(A) 申请公布日期 2016.12.19
申请号 KR20167023981 申请日期 2015.03.03
申请人 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 发明人 신하 아쉬위니 케이;스미스 스탠리 엠;하이더만 더글라스 씨;캄포 서지 엠
分类号 H01J37/317 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人
主权项
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