| 摘要 |
일부 태양들에서, 금속 셀레나이드 및 금속 텔루라이드 박막을 형성하는 방법들이 제공된다. 일부 방법들에 따르면, 금속 셀레나이드 또는 금속 텔루라이드 박막이, 적어도 하나의 사이클이 기판을 제1 기상 금속 반응물 및 제2 기상 셀레늄 또는 텔루륨 반응물과 교대로 그리고 연속적으로 접촉시키는 단계를 포함하는 주기적인 퇴적 공정에서 반응 공간 내의 기판 상에 퇴적된다. 일부 태양들에서, 기판 표면 상에 3-차원 아키텍쳐들을 형성하는 방법들이 제공된다. 일부 실시예들에서, 상기 방법은 기판과 유전체 사이에 금속 셀레나이드 또는 금속 텔루라이드 인터페이스 층을 형성하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 상기 방법은 기판과 도전층 사이에 금속 셀레나이드 또는 금속 텔루라이드 유전체 층을 형성하는 단계를 포함한다. |
