| 发明名称 |
PRODUCTION OF INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5397779(A) |
申请公布日期 |
1978.08.26 |
| 申请号 |
JP19770012147 |
申请日期 |
1977.02.08 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
IWASAKI HIROSHI;OZAWA OSAMU;SASAKI YOSHITAKA |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/20;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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