发明名称 抑制碳蓄积在金属表面之方法
摘要
申请公布号 TW046449 申请公布日期 1982.09.16
申请号 TW07011040 申请日期 1981.04.13
申请人 艾克颂工程研究公司 发明人 小詹姆斯.杰.克鲁琴斯奇;里斯.堤.凯.拜可
分类号 C23F11/00;C23F15/00 主分类号 C23F11/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种用以使金属表面中之一个或多个 表面防止形成碳蓄积之方法,其中金 属基体系由铁、镍、铬、钴、钼中一 种或多种金属或彼等合金所构成及其 中之金属表面系属于一种在曝露于含 碳气体进行分解之环境下易形成碳蓄 积者,此方法包含: 在待保护之金属基体表面淀积钨、 钽或其化合物(当金属基体在以下 第步骤所示之温度加热时会形成 分解)中之一种或多种物质,于是 在基体表面留下多达大约10个单 原子层之钨、钽或彼等氧化物中之 一种或多种物质,以及 将金属基体加热到大约600℃至 1200℃之温度,维持一段有效时 间,而使碳纤维在此基体表面上之 成长速度受到抑制,它较同一基体 之未保护表面在曝露于含碳气体进 行分解之同一环境下之碳纤维成长 速率至少低四倍。2.如请求专利部份第l.项之方法 ,其中 之合金为不锈钢。3.如请求专利部份第l.项或第2. 项之方 法,其中之金属基体为不锈钢反应管 。4.如前述请求专利部份第1-3.项中之 任一方法,其中之物质为钨或钽。5.如前述请求专 利部份第1-4.项中之 任一方法,其中之物质为氧化钨或氧 化钽。6.如前述请求专利部份第1-5.项中之 任一方法,其中基体在第步骤之加 热温度系放大约700℃至大约90O℃ 之间。
地址 U.S.A.