PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS DOPES DANS UN SYSTEME FERME, PAR CROISSANCE EPITAXIALE

摘要

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS DOPES, PAR CROISSANCE EPITAXIALE D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE MONOCRISTALLINE DOPEE SUR UN SEMI-CONDUCTEUR.DANS UN RECIPIENT 1 ON DISPOSE DEUX DISQUES 2 ET 4, LE PREMIER 2 DEVANT RECEVOIR LA MATIERE 8 DE DOPAGE ET LE SECOND 4 ETANT CONSTITUE DE LA MATIERE SEMI-CONDUCTRICE A DOPER. ON SCELLE LE RECIPIENT, ON LE CHAUFFE DANS LE FOUR 10 POUR PROVOQUER UNE REACTION DE TRANSPORT, EN EVITANT LES ESPACES MORTS ENTRE LES DISQUES ET EN MAINTENANT UN GRADIENT DE TEMPERATURE D'AU MAXIMUM 1CMM ENTRE LES DISQUES.APPLICATION: PRODUCTION DE SILICIUM DOPE.