| 主权项 |
1﹒一种实体聚合物,具有一表面部分及一内 部部分,其中该表部分包含一种可产生硫 氰酸根或异硫氰酸根自由基或离子之反应 物及该母质聚合物之反应产物;及该内部 部分为实质不含此等反应产物者。 2﹒根据上述请求专利部份第1项之聚合物, 其中该表面部分延伸入该聚合物实体内不 超过一微米左右。 3﹒根据上述请求专利部份第1项之聚合物, 包含至少若干硫氰酸根或异硫氰酸根官能 度。 4﹒根据上述请求专利部份第1项之聚合物, 其中该聚合物在改性前包含一种加成聚合 物或缩合聚合物。 5﹒根据上述请求专利部份第4项之聚合物, 其中该聚合物在改性前包含一种或多种烯 属不饱和单体之聚合或共紧加成产物;敝 环反应产物;聚酯,聚胺基甲酸酯聚醯胺 ,聚醚,聚碳酸酯,聚,聚醯亚胺,矽 酮聚合物,或其混合物。 6﹒根据上述请求专利部份第5项之聚合物, 其中该聚合物在改性前包含一种择自烯, 取代烯,一烯基芳族化合物,烯属不饱和 羧酸及其酯之组中一种或多种单体的均聚 物或共聚物。 7﹒根据上述请求专利部份第3项之聚合物, 其中加成至该聚合物之官能基数且为0﹒ 0─01至10%重量比。 8﹒根据上述请求专利部份第1项之聚合物, 其中该聚合物系与可产生硫氰根或异硫氰 酸根自由基或离子之反应物接触而同时以 紫外光照射该聚合物表面者。 9﹒根据上述请求专利部份第1项之聚合物, 复包含有机聚合物膜之表面被覆层。 10﹒一种将具有一表面部分及一内部部分之实 体聚合物改性之方法,包含令该质母质聚 合物之表面部分与可产生硫氰酸根或是硫 氰酸根自由基或离子之反应物在可产生自 由基或离子反应条件下接触,藉此掺混入 经由如此接触所形成之反应产物。 11﹒根据上述请求专利部份第10项之方法, 其中该聚合物系与可产生硫氰酸根或异硫 氰酸根自由基或离子化学剂之溶液接触, 同时以紫外光照射该聚合物者。 12﹒根据上述请求专利部份第10项之方法, ,其中至少硫氰酸根或异硫氰酸根官能基 掺混入该聚合物之表面部分者。 14﹒根据上述请求专利部份第10项之方法, 其中该方法系于0℃至75℃温度下进行 者。 |
