| 发明名称 | 一个多MOSFET管的高效安装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一个多MOSFET管的高效安装结构，包括连接铜排，所述连接铜排通过螺柱与PCB板固定连接，所述PCB板的底部设置散热器，所述散热器的表面设置陶瓷基片，所述陶瓷基片的表面设置MOSFET管，所述MOSFET管的管脚直接焊接在PCB板的底部，所述PCB板的内部通过布线将MOSFET管的管脚与螺柱相连，所述MOSFET管和陶瓷基片均通过第一三组合螺钉与散热器连接。所述一个多MOSFET管的高效安装结构，通过设置陶瓷基片，陶瓷基片有很高的绝缘耐压且有很高的导热系数，通过这个方法可以实现MOSFET管高绝缘耐压要求，将MOSFET管直接通过陶瓷基片与散热器相连，能将MOSFET管损耗产生的热量迅速传递到散热器上，通过将散热器设置为流苏型结构，能够加大散热面积，增强散热效果。 | ||
| 申请公布号 | CN205621721U | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201520868071.3 | 申请日期 | 2015.11.03 |
| 申请人 | 长沙丹芬瑞电气技术有限公司 | 发明人 | 吴兴川 |
| 分类号 | H01L23/40(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 汤东凤 |
| 主权项 | 一个多MOSFET管的高效安装结构，包括连接铜排(6)，其特征在于：所述连接铜排(6)通过螺柱(8)与PCB板(1)固定连接，所述PCB板(1)的底部设置散热器(5)，所述散热器(5)的表面设置陶瓷基片(4)，所述陶瓷基片(4)的表面设置MOSFET管(3)，所述MOSFET管(3)的管脚直接焊接在PCB板(1)的底部，所述PCB板(1)的内部通过布线将MOSFET管(3)的管脚与螺柱(8)相连，所述MOSFET管(3)和陶瓷基片(4)均通过第一三组合螺钉(2)与散热器(5)连接。 | ||
| 地址 | 410000 湖南省长沙市长沙经济开发区星沙产业基地梦工厂A1栋606室 | ||