发明名称 参考电压产生电路
摘要
申请公布号 TW208097 申请公布日期 1993.06.21
申请号 TW080107867 申请日期 1991.10.05
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李永宅
分类号 H03F3/00 主分类号 H03F3/00
代理机构 代理人 潘海涛 台北巿复兴北路六十九号三楼
主权项 1﹒一种参考电压产生电路,其含有电源电压端子,接地电压端子,参考电压输出端子,第1节点,第2节点,第3节点,连接于电源电压端子与第1节点之间的第1电阻,连接于第1节点与第2节点之间的第2电阻,将集极和基极均连接于第2节点并将射极连接于接地电压端子之第1电晶体,连接于第1节点与第3节点之间的第3电阻,将集极连接于第3节点并将基极连接于第2节点之第2电晶体,连接于第1电晶体之射极与接地电压端子之间的第4电阻,以及将集极和射极分别连接于第1节点和接地电压端子并将基极连接于第3节点之第3电晶体,其特征为:在第1节点与第3节点之间接有第1电容器。2﹒如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该第1电容器系供补偿频率之用。3﹒如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中在半导体基板之上面依序形成有具有预定导电型而接受恒定电压之导电层、绝缘膜、及第1-第4的各电阻。4﹒如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其进一步含有连接在第1节点与参考电压输出端子之间的第5电阻及连接于参考电压输出端子与接地电压端子之间的第2电容器。5﹒如申请专利范围第4项之参考电压产生电路,其中第5电阻之电阻値及第2电容器之电容量系被如此决定,使得便能容许基板电压之变动周期之频带宽以下之频率通过。6﹒如申请专利范围第4项之参考电压产生电路,其中在半导体基板之上面依序形成有具预定导电型而接受恒定电压之导电层、绝缘膜及第5电阻。7﹒一种参考电压产生电路,其含有电源电压端子,接地电压端子,参考电压输出端子,第1节点,第2节点,第3节点,连接于电源电压端子与第1节点之间的第1电阻,连接于第1节点与第2节点之间的第2电阻,将集极知基极均连接于第2节点并将射极连接于接地电压端子之第1电晶体,连接于第1节点与第3节点之间的第3电阻,将集极连接于第3节点并将基极连接于第2节点之第2电晶体,连接于第2电晶体之射极与接地电压端子之间的第4电阻,以及将集极和射极分别连接于第1节点和接地电压端子并将基极连接于第3节点之第3电晶体,其特征为:具有连接于第1节点与参考电压输出端子之间的电阻及连接于参考电压输出端子与接地电压端子之间的电容器。8﹒如申请专利范围第7项之参考电压产生电路,其中在半导体基板之上面依序形成有具预定导电型而接受恒定电压之导电层、绝缘膜及上述各电阻。9﹒第一种参考电压产生电路,系由具负温度系似之多个双极性电晶体及具正温度系数之多个电阻组合而成,其特征为:在半导体基板之上面依序形成有具预定导电型而接受恒定电压之导电层,绝缘层及多个电阻。10﹒如申请专利范围第9项所述之参考电压产生电路,其中该参考电压产生电路另包含一电容器以供补偿频率之用,以及一低通滤波器其供减除一基质电压所致之暂态变动之参考电压之用。图示简单说明图l为习知恒定压电路之电路图。图2为形成有习知恒定压电路之基板之构造的断面图。图3为表示本发明恒定压电路之电路图。图4为形成有本发明恒定压电路之基板之构造的断面图。图5 A为习知恒定压电路之特性曲线图。图5 B为本发明之恒定压电路之特性曲线图。
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