发明名称 电阻材料
摘要 一种电阻材料,其组成如下,即:对含有铬35~45原子%、铝2 ~23原子%及硼37~58原子%之三元合金加入锆2 ~25原子%,形成四元合金,而对此四元合金进一步添加15~25原子%之氧所构成者。
申请公布号 TW223126 申请公布日期 1994.05.01
申请号 TW080108053 申请日期 1991.10.12
申请人 进工业股份有限公司 发明人 吉崎完生;西村和哉;河林正
分类号 C22C32/00 主分类号 C22C32/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼之三;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1﹒一种电阻材料,其特征在于:其系以薄膜形成于电绝缘性基板表面上,且组成如下,即:对含有铬35-45原子%、铝2-23原子%及硼37-58原子%之三元合金中加入锆而形成四元合金,对此四元合金进一步添加15-25原子%之氧所构成者,而且,前述四元合金之铝浓度在2-25原子%之范围内,且当电阻材料之膜厚为T(nm)时,该锆浓度在于以如下二式所表示之Z1原子%以上、Z2原子%以下之范围内。图示简单说明:第1图显示本发明电阻材料在加锆前之Cr-A1-B三元合金组成比的三成分组成图。第2图显示在Cr-A1-B三元合金添加之锆浓度与此电阻之关系例。第3图显示在Cr-A1-B三元合金添加之锆浓度与比电阻温度系数之关系例。第4图显示在Cr-Al-B-Zr四元合金添加之氧浓度与此电阻之关系例图。第5图显示在Cr-Al-B-Zr四元合金添加之氧浓度与电阻温度系数之关系例图。第6图显示在Cr-Al-B三元合金添加之锆浓度与因热处理所造成之电阻变化率的关系例图。第7图系显示因热处理引起电阻的变化率在20%以内之错浓度(添加于Cr-A1-B三元合金添加之锆浓度)与膜厚的关系例。
地址 日本
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