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发明名称 Method for producing a semiconductor device with gate structure.
摘要
申请公布号 EP0459770(B1) 申请公布日期 1995.05.03
申请号 EP19910304827 申请日期 1991.05.29
申请人 CANON KABUSHIKI KAISHA 发明人 MATSUMOTO, SHIGEYUKI, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA;YUZURIHARA, HIROSHI, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA;MIYAWAKI, MAMORU, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA;INOUE, SHUNSUKE, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA;NAKAYAMA, JUN, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA
分类号 H01L21/266;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/320 主分类号 H01L21/266
代理机构 代理人
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