发明名称 混合式静电夹盘
摘要 一种静电夹盘包括有一混合式介质,其介于一晶片与一电极之间。该混合式介质包括有两层:其中一层系用来吸引及固持晶片底面之薄绝缘层,另一层系置于下方之机电强固之半传导层。在等效之操作性能下,该半传导层之阻抗值与采用强生雷贝克效应装置相较,可涵盖较广范围值。该混合式介质结合了薄绝缘介质夹盘之高吸引力/电压比,以及快速之充电/放电特性,且藉由限制电流之半传导层而具有保护之功能。该混合式层之夹盘提供了一简易、低价位结构之改良性能。
申请公布号 TW297150 申请公布日期 1997.02.01
申请号 TW084100509 申请日期 1995.01.20
申请人 蓝姆研究公司 发明人 蓝道.S.慕特
分类号 H01L23/32 主分类号 H01L23/32
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1. 一种混合式静电夹盘,以静电吸引及固持一物体,包括有:一第一层,具有顶面及底面,其第一层实质上由一绝缘材料所组成,以吸引及固持该物体于其顶面上,其中该第一层系由具有大于10@su1@su5欧姆-公分之高阻抗所组成;一第二层,具有顶面及底面,其第二层实质上由一半导体材料所组成,其第二层之顶面系与第一层之底面相接触,其中该第二层系实质上由氧化铝及二氧化钛所组成;一用来支持该夹盘之支持装置;及一电连接装置,用来连接电位至物体及第二层之间;藉此而在物体及夹盘之间产生一静电吸引力。2.根据申请专利范围第1项之混合式静电夹盘,其中该第二层是一半导体,具有一介于10@su8欧姆-公分至10@su1@su3欧姆-公分之高阻抗。3. 根据申请专利范围第1项之混合式静电夹盘,其中该第二层之厚度为大于0.005英寸。4. 根据申请专利范围第1项之混合式静电夹盘,其中该第二层系由5%至30%之二氧化钛所组成,其余的系氧化铝。5. 根据申请专利范围第1项之混合式静电夹盘,其中该第一层之厚度约为0.0005英寸至0.005英寸之间。6. 根据申请专利范围第1项之混合式静电夹盘,其中该第一层基本上系由氧化铝所组成。7. 一种混合式静电夹盘,以静电吸引及固持一物体,包括有:一第一层,具有顶面及底面,其第一层实质上由一绝缘材料所组成,以吸引及支持该物体于其顶面上,其中该第一层由一大于10@su1@su5欧姆-公分之高阻抗之材料所组成;一第二层,具有顶面及底面,其第二层实质上由一半导体材料所组成,其第二层之顶面系与第一层之底面相接触,其中该第二层系一半导体,其具有一介于10@su8欧姆-公分至10@su1@su3欧姆-公分间之高阻抗;至少两个平面式之电板,形成在该第二层之底面,且系由一间隙所隔开,该电极乃在电极与物体之间形成第一及第二电容,其中第一层及第二层之一部份系在两个电容之间形成一串联之介质;一用来支持该电极、第二层及第一层之支持装置;及一电连接装置,用来连接电位至至少两个电极之间;藉此而在物体及夹盘之间产生一静电吸引力。8.根据申请专利范围第7项之混合式静电夹盘,其中该第二层之厚度系大于0.005英寸。9. 根据申请专利范围第7项之混合式静电夹盘,其中该第二层系实质上由氧化铝及二氧化钛所组成之材料。10. 根据申请专利范围第7项之混合式静电夹盘,其中该第二层实质上由5%至30%之二氧化钛所组成,其余的系氧化铝。11. 根据申请专利范围第7项之混合式静电夹盘,其中第一层之厚度系介于0.0005英寸至0.005英寸之间。12.根据申请专利范围第7项之混合式静电夹盘,其中该第一层基本上由氧化铝所组成。13. 根据申请专利范围第7项之混合式静电夹盘,其中该第二层基本上由氧化铝及二氧化钛所组成。图示简单说明:图1是习用之静电夹盘之断面示意图;图2是图1所示之静电夹盘之电路示意图;图3是本发明之单极混合式静电夹盘之断面示意图;图4是图3所示之混合式静电夹盘之电路示意图;
地址 美国
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