| 主权项 |
1.一种场效电晶体的制造方法,系包括:有矽半导体晶圆上形成隔离场效电晶体所需要之氧化层;形成一层金属、第一复晶矽和第一介电层;利用微影技术形成具有「第一开口」之光阻图案,所述「第一开口」之位置系预备作为场效电晶体闸极之位置;在电浆蚀刻反应室内在所述「第一开口」之侧壁形成「非挥发性的高分子侧壁物」,使所述「第一开口」之宽度变小成为「第二开口」;以所述光阻图案为护罩蚀去所述第一介电层、第一复晶矽和金属以形成「第三开口」;去除所述光阻图案;在所述「第三开口」之侧边形成介电层侧壁物(dielectric spacer);形成闸氧化层;在所述「第三开口」内进行「通道掺杂」;形成一层第二复晶矽,并利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述第二复晶矽以形成场效电晶体之闸极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述金属是指钛,其厚度介于200到400埃之间。3.如申请专利范围第1项之方法,其中所述「第一复晶矽」之厚度介于1000到3000埃之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述「第一介电层」是指氮化矽,其厚度介于500到1000埃之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中所述「介电层侧壁物」是由无搀杂的二氧化矽构成,并利用电浆蚀刻技术对所述「无搀杂的二氧化矽」进行垂直单向性的回蚀刻而成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中所述闸氧化层之厚度介于100到200埃之间。7.如申请专利范围第1项之方法,其中所述第二复晶矽层之厚度介于2000到3500埃之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中所述形成「第三开口」之方法,是利用微影技术与电浆蚀刻技术,而所述电浆蚀刻技术是指磁场增强式活性离子式电浆蚀刻技术或电子回旋共振电浆蚀刻技术或传统的活性离子式电浆蚀刻技术。图示简单说明:图一到图六是制造金氧半场效电晶体之传统方法的制程剖面示意图。图七至图十七是本发明之实施例的制程剖面示意图。 |
