| 主权项 |
1.一种低电阻/低漏电流之金属接面的制造方法,适用于形成有扩散区之一半导体基底上,该金属接面的方法包括下列步骤:(a)形成一介电层于该基底表面,该介电层间具有一接触窗露出该扩散区;(b)沿该介电层表面形成一矽层,并经由该接触窗与该扩散区相接触;(c)对该矽层施以一离子植入;(d)在该矽层上依序形成一钛金属层与一氮化钛层;(e)形成一导电层覆于该基底表面,并填满该接触窗;以及(f)施行一快速热回火,使该钛金属层同时与该矽层及该扩散区反应,形成矽化钛。2.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中步骤(a)与步骤(b)之间,更包括以氢氟酸(HF)去除该接触窗之原始氧化层(native oxide)。3.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中步骤(b)之矽层为复晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中步骤(b)之矽层为非晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中步骤(b)该矽层的厚度约200-400A。6.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中步骤(c)所植入之离子系择自下列所组成之族群:As、SiF2.Si、及Ar。7.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中步骤(c)与步骤(d)之间,更包括以氢氟酸去除该矽层上之原始氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中步骤(e)所述之导电层为钨金属层。9.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中在步骤(f)之后更包括:回蚀刻该导电层成一接触栓于该接触窗内。10.如申请专利范围第1项所述之金属接面的制造方法,其中在步骤(f)之后更包括:定义该导电层,以形成局部内连线。11.一种低电阻/低漏电流之金属接面的制造方法,适用于形成有扩散区之一半导体基底上,该金属接面的方法包括下列步骤:形成一介电层于该基底表面,该介电层间具有一接触窗露出该扩散区;以氢氟酸去除该接触窗之原始氧化层;沿该介电层表面形成一非晶矽层,并经由该接触窗与该扩散区相接触;以SiF2,Si,Ar或As离子植入该非晶矽层;以氢氟酸去除该非晶矽层上之原始氧化层;在该非晶矽层上依序形成一钛金属层及氮化钛层;形成一钨金属层覆于该基底表面,并填满该接触窗;施行一快速热回火,使该钛金属层同时与该非晶矽层及该扩散区反应,形成矽化钛。12.如申请专利范围第11项所述之金属接面的制造方法,其中该非晶矽层的厚度约200-400A。13.如申请专利范围第11项所述之金属接面的制造方法,其中在形成矽化钛之后更包括:回蚀刻钨金属层成一接触栓于该接触窗内。14.如申请专利范围第11项所述之金属接面的制造方法,其中在形成矽化钛之后更包括:定义该钨金属层,以形成局部内连线。图式简单说明:第一图-第四图绘示依本发明一较佳实施例形成金属接面之制程剖面示意图。 |
