| 主权项 |
1.一种离子植入方法,其中离子植入系在包含至少一个或多个晶圆之第一晶圆群沿着与离子束之路径交叉之第一轨道路径旋转时及在包含至少一个或多个晶圆之第二晶圆群沿着与离子束之路径交叉之第二轨道路径旋转时进行,而该第二轨道路径之至少一部份与该第一轨道路径不同者。2.如申请专利范围第1项之离子植入方法,其中该第一及第二轨道路径系于相同位置与离子束之路径交叉者。3.如申请专利范围第1项之离子植入方法,其中:离子束之路径具有沿着该第一及第二轨道路径的宽幅;以及旋转该第一及第二晶圆群,由而在该第一及第二晶圆群之一自离子束之路径离开之前,另一者进入离子束之路径。4.一种离子植入方法,包括下列步骤:在沿着与离子束之路径交叉之一方向移动第一晶圆时植入离子;在该第一晶圆自离子束之路径完全离开前,藉由沿着一方向将第二晶圆移动至离子束之路径中,而将离子同时植入该第一晶圆及第二晶圆之部份区域;在该第一晶圆自离子束之路径完全离开后,在沿着一方向移动该第二晶圆时植入离子;以及在该第二晶圆自离子束之路径完全离开前,藉由沿着一方向将该第一晶圆移动至离子束之路径中,而同时将离子植入至该第一第二晶圆之部份区域。5.一种离子植入方法,系藉由沿着至少具有与离子束之路径交叉之共通轨道截面之各别第一及第二轨道路径旋转各包含至少一个或多个晶圆之第一及第二晶圆群而植入离子,其中在该第一及第二晶圆群之一在共通轨道截面上移动时,沿着该第一或第二轨道路径之该第一与第二晶圆群间之相对距离改变者。6.一种离子植入方法,系藉由沿着共通轨道路径旋转各包含至少一个或多个晶圆之第一及第二晶圆群而植入离子,其中沿着该共通轨道路径之该第一与第二晶圆群间之距离改变者。7.一种离子植入系统,包括:第一晶圆输送装置,系用于承纳至少一个或多个晶圆及使至少一个或多个晶圆沿着与离子束路径交叉之第一轨道路径旋转;以及第二晶圆输送装置,系用于承纳至少一个或多个晶圆及使至少一个或多个晶圆沿着与离子束路径交叉之第二轨道路径旋转。8.如申请专利范围第7项之离子植入系统,其中该第一轨道路径与该第二轨道路径不同者。9.如申请专利范围第7项之离子植入系统,其中:离子束路径具有沿着该第一及第二轨道路径的宽幅;以及该第一及第二晶圆输送装置旋转各晶圆,使得在由该第一及第二晶圆输送装置之一所承纳之晶圆自离子束路径离开之前,由该第一及第二晶圆输送装置之另一者所承统之晶圆进入离子束路径。10.如申请专利范围第7项之离子植入系统,其中该第一及第二轨道路径至少具有与离子束路径交叉之共通轨道截面,且该第一及第二晶圆输送装置旋转各晶圆,使得在由该第一晶圆输送装置所承纳之第一晶圆在共通轨道截面上移动时,沿着该第一或第二轨道路径,由该第一及第二输送装置所承纳之第一与第二晶圆间之距离改变。11.如申请专利范围第7项之离子植入系统,其中该第一及第二晶圆输送装置承纳并沿着共通轨道路径旋转晶圆同时改变晶圆间之相对距离者。12.如申请专利范围第7项之离子植入系统,其中各该第一及第二晶圆输送装置能倾斜相对于离子束路径之晶圆承纳表面,能旋转晶圆而不改变该第一及第二轨道路径与离子束路径间之相交点者。13.如申请专利范围第7项之离子植入系统,其中:该第一晶圆输送装置包括:第一可伸展手臂,系用于在其末梢端承纳晶圆;以及第一旋转装置,系用于绕着离子束路径之外部区域中之轴旋转该第一可伸展手臂;以及该第二晶圆输送装置包括:第二可伸展手臂,系用于在其末梢端承纳晶圆;及第二旋转装置,系用于绕着离子束路径之外部区域中之轴旋转该第二可伸展手臂。14.如申请专利范围第13项之离子植入系统,又进一步包括分别配置在该第一及第二可伸展手臂中用以运送冷却晶圆用之冷却介质之第一及第二流动管道,该第一及第二流动管道各具有供应管道及回流管道。15.如申请专利范围第14项之离子植入系统,其中:该第一可伸展手臂包含由第一铰接单元予以可旋转地连接之两个辅助手臂;以及该第一流动管道之供应管道及回流管道系由同轴配置之两个圆柱部份界定之中心空穴及绕着该中心空穴之管状空穴所形成,该中心空穴及该管状空穴系由在分别固定于界定该中心空穴之侧壁中之两个辅助手臂之两元件间之滑动部份之环元件予以分开,及该管状空穴及两个辅助手臂之内空穴系由在分别固定于界定该管状空穴之外表面之侧壁中之两个辅助手臂之两个元件间之滑动部份之另一环元件予以分开。图式简单说明:第一图A至第一图D为依据本发明实例之离子植入方法之概念的说明图。第二图A至第二图D为依据本发明实例,使用于说明离子植入方法之离子植入系统的前视图。第三图A和第三图B及第四图为依据本发明实例之离子植入系统的截面平面图。第五图为显示依据本发明实例之离子植入系统之晶圆输送机构之轮廓的透视图。第六图为显示第五图所示手臂驱动机构与手臂间之联接部份的截面图。第七图为显示第五图所示之第一辅助臂与第二辅助臂间之联接部份的截面图。第八图为显示第五图所示之第二辅助臂与晶圆承纳器间之联接部份的截面图。第九图为显示其中相对于离子束晶圆承纳表面为倾斜者之晶圆输送机构的侧面图。 |
