| 主权项 |
1.一种设计积体电路设备的方法,包括下列步骤:藉由一模拟方法,计算一些电路元件的最大负荷容量;以及设计该积体电路设备,使得每个电路元件的负荷容量小于相对应的该所计算的最大负荷容量。2.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括以下步骤:储存该所计算的最大负荷容量在一资料库(1a)和在该电路元件的条件资料;以及从该资料库检索符合所输入的条件资料的该积体电路设备中的一电路元件的最大负荷容量,该积体电路设计步骤使得该电路元件的负荷容量小于该所检索的最大负荷容量。3.如申请专利范围第2项所述之方法,进一步包括一步骤,当该电路元件的负荷容量不小于该所检索的最大负荷容量时,修改该积体电路设备。4.如申请专利范围第3项所述之方法,进一步包括以下步骤:探测至少两个电路元件之一上游的一输出信号的一反应时间;将该所探测到的反应时间成该至少两个电路元件之一下游的该输入条件资料。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该修改的步骤加大该电路元件的闸极宽度。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该修改步骤减小该电路元件的一输出线。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该修改步骤修改该电路元件。8.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该修改步骤修改该电路元件的一下游电路元件。9.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,该所输入的条件资料包括该电路元件的一资料宽度、该电路元件的一输入信号的反应时间、该设备的最大操作频率,该设备的保证操作温度、该电路元件的开关机率以及该设备的保证期。10.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括以下步骤:制定用来近似地决定该最大负荷容量的近似公式;以及根据所输入的条件资料,近似地计算在该积体电路设备中所使用的一电路元件的该最大负荷容量,该积体电路设计步骤使得该电路元件的负荷容量小于该近似计算的最大负荷容量。11.如申请专利范围第10项所述之方法,进一步包括一步骤,当该电路元件的负荷容量不小于该近似计算的最大负荷容量时,修改该积体电路设备。12.如申请专利范围第11项所述之方法,进一步包括以下步骤:探测至少两个电路元件之一上游的一输出信号的反应时间;将该所探测到的反应时间设成该至少两个电路元件之一下游的该输入条件资料。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,该修改的步骤加大该电路元件的闸极宽度。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,该修改步骤减小该电路元件的一输出线。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,该修改步骤修改该电路元件。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,该修改步骤修改该电路元件的一下游电路元件。17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,该所输入的条件资料包括该电路元件的一资料宽度、该电路元件的一输入信号的反应时间、该设备的最大操作频率,该设备的保证操作温度、该电路元件的开关机率以及该设备的保证期。图式简单说明:第一图系显示一电路图,说明一互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器以解释热载体效应;第二图A和第二图B系显示第一图的输入信号和输出信号的时间图;第三图系显示第一图的设备降级和使用期的关系图;第四图系显示一方块电路图,说明一电路设计系统,用以实现本方法的第一个实施例来根据本发明设计一积体电路设备;第五图、第六图、第七图系显示第四图的系统的操作的流程图;第八图系显示说明一用以实现本方法的第二个实施例,用以设计一根据本发明的积体电路设备电路设计系统的方块电路图;第九图、第十图、第十一图系显示第八图的系统的操作的流程图。 |
