| 主权项 |
1.一种用于半导体装置之互连层制造方法,其包含:用以将一其上形成有一铜互连层之半导体基体安置于一位在一腔室内之支承板的上表面的一第一步骤,该腔室具有该支承板与一电极板;用以施加一偏压至该支承板的一第二步骤;以及用以在升高该腔室温度同时进行一退火过程的一第三步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二步骤包含与施加该偏压至该支承板同时施加一电压至该电极板。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜互连层相对于该半导体基体之下表面,具有一负偏压。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该施加至该电极板之电压系低于施加至该支承板之偏压。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该施加至该退火过程之温度系低于约550℃。图式简单说明:第一图A至第一图E绘示用于形成传统铜互连物之过程;第二图绘示用于对该铜互连物施加一流动过程之传统退火装置;以及第三图绘示依照本发明,用于对该铜互连物施加一流动过程之一退火装置。 |
