| 主权项 |
1.一种位元线和位元线接触窗之制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其「已形成一字元线;在该字元线侧壁形成一氧化间隙壁;在该基底上形成一介电层完全覆盖该字元线;平坦化该介电层;在该介电层上形成一盖层;定义该盖层和该介电层,以在该介电层中形成一沟渠;在该沟渠之侧壁上形成一氮化矽间隙壁;定义在该沟渠下之该介电层,以在其中形成一接触窗洞,并露出该基底;在该接触窗洞填入一多晶矽插塞;以及在该沟渠中填入一金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该氧化间隙壁的材质包括二氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该盖层之材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该字元线之材质包括多晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该字元线之上更包括形成有一金属矽化物层。6.如申请专利范围第1项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该接触窗洞不暴露出该氧化间隙壁7.一种位元线和位元线接触窗之制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上巳形成具有一氧化间隙壁之一字元线;在该基底上形成一介电层完全覆盖该字元线;平坦化该介电层;在该介电层上形成一盖层;定义该盖层和该介电层,以在该介电层中形成一沟渠;在该沟渠之侧壁上形成一氮化矽间隙壁;定义在该沟渠下之该介电层,以在其中形成一接触窗洞,并露出该基底;以及在该接触窗洞和该沟渠中填入一导体层。8.如申请专利范围第7项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该氧化间隙壁的材质包括二氧化矽。9.如申请专利范围第7项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该盖层之材质包括氮化矽。10.如申请专利范围第7项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该字元线之材质包括多晶矽。11.如申请专利范围第7项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该字元线之上更包括形成有一金属矽化物层。12.如申请专利范围第7项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该金属矽化物包括矽化钨。13.如申请专利范围第7项所述之位元线和位元线接触窗之制造方法,其中该接触窗洞不暴露出该氧化间隙壁。图式简单说明:第一图A和第一图B是习知制作位元线和位元线接触窗之制造法程剖面图;第二图A至第二图F是绘示依照本发明一较佳实施例,一种位元线和位元线接触窗之制造方法流程图;以及第三图A到第三图B绘示两种应用本发明之位元线和位元线接触窗之上视图。 |
