发明名称 磁隧道结元件和使用它的磁存储器
摘要 一种磁隧道结元件(1)包括作为存储层的第一磁性层(12)和第二磁性层(14),放置在第一和第二磁性层之间的第一绝缘层(13)。而且,磁隧道结元件包括在第二磁性层(14)上与第一绝缘层(13)相反的一边的第三磁性层(15)。该第三磁生层(15)与第二磁性层(14)形成闭合磁路。
申请公布号 CN1309430A 申请公布日期 2001.08.22
申请号 CN01111942.X 申请日期 2001.02.17
申请人 夏普公司 发明人 道嶋正司;林秀和;南方量二
分类号 H01L43/08;G11C11/15 主分类号 H01L43/08
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 林长安
主权项 1.一种磁隧道结元件(1,2,3),包括:作为存储层的第一磁性层(12,22)和第二磁性层(14,24);放置在第一和第二磁性层之间的第一绝缘层;和第三磁性层(15,25),它提供在第二磁性层与第一绝缘层相反一侧,以便与第二磁性层(14,24)形成闭合磁路。
地址 日本大阪市