| 主权项 |
1.一种微距覆晶载板的制造方法,包括:提供一载板(Substrate)步骤,系将该载板表面预先形成第一金属层,且该载板上预先形成一复数个载板通孔,并于该第一金属层表面与该载板通孔中形成一第一镀金属层;形成一内层线路步骤,系利用形成之乾膜将影像转,以当作罩幕蚀刻该第一镀金属层与该第一金属层形成沟渠,未被蚀刻之部分形成该内层线路;黑氧化内层线路步骤,系以氧化该内层线路的方式,形成一黑氧化内层线路层于该内层线路表面;形成一介电层与第二金属层步骤,系以介电物质填入该载板通孔与该沟渠中,并覆盖整个该内层线路,再于该介电层表面形成一金属箔,之后将该金属箔薄化形成该第二金属层;以雷射形成介电层通孔步骤,系形成乾膜以影像转移形成一雷射光罩,并依此雷射光罩之开口处以雷射钻孔(Laser Drilling)形成一复数个介电层通孔,并于该介电层通孔中形成一第二镀金属层,并填孔镀铜(Plating Filled Copper)于该介电层通孔中,之后整理该第二镀金属层表面;形成一线路层步骤,系形成乾膜作为罩幕于该第二金属层上形成一镍金(Ni/Au)层,再利用影像转移蚀刻该第二金属层,未被蚀刻之部分形成该线路层;形成一复数个防焊阻剂区域步骤,系于该第二金属层上之非IC结合区直接形成防焊阻剂区域;形成一复数个黑氧化防焊阻堤步骤,系以一氧化方式直接形成该复数个黑氧化阻堤(Black Oxide Dam)于该第二金属层上;封装覆晶步骤,系灌胶(Underfill)于IC底部,覆晶结合凸块与该镍金层电性连接,且电性导通于该覆晶载板通孔与该介电层通孔中之线路。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该提供一载板(Substrate)步骤中,载板材料系可为一BismaleimideTriazine(BT)介电材料或为其它之有机材料甚至可为无机之陶瓷材料,且其厚度约为0.1-0.4mm。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该提供一载板(Substrate)步骤中,载板表面预先形成之该第一金层材料可为铜(Cu),且其厚度约为12m。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该提供一载板(Substrate)步骤中,载板上预先形成该复数个载板通孔系以一机械方式或雷射钻孔形成,且该载复数个载板通孔之孔径约为100-250m。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该形成一内层线路步骤中,载板通孔中形成之该第一镀金属层材料可为铜(Cu),且其厚度约为15m。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该介电层材料可为一Bismaleimide Triazine, BT介电材料或其它介电材料。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该形成一介电层与第二金属层步骤中,介电层表面形成之该金属箔材料可为铜(Cu),且其厚度约为12m。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该金属箔经薄化形成之该第二金属层厚度约为7-9m。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该以雷射形成介电层通孔步骤中,该介电层通孔之孔径约为100m,且整理该第二镀金属层表面系以薄化处理该第二金属层厚度约为7-9m。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该形成线路步骤中,该镍金层是以电镀方式形成,其形成之厚度约为5m,且以该镍金层作为覆晶结合凸块之连接区。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该形成线路步骤中,影像转移蚀刻该第二金属层系以一乾膜压合技术或液态光阻剂涂布作为罩幕蚀刻。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该形成一线路层步骤中,该线路层除了导通电性以外,可同时另外形成一支撑线路(Mesh Pattern)以增加载板抗曲强度,并缩小因受热变形而形成之板翘或板扭量。13.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该形成一复数个防焊阻剂区域步骤中,该防焊阻剂可为一表面涂布之Epoxy感光防焊阻剂。14.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该形成一复数个黑氧化防焊阻堤步骤中,该复数个黑氧化阻堤厚度约为1-3um以下。15.一种微距覆晶载板的结构,包括:一载板(Substrate),该载板表面预先形成第一金属层,且该载板上预先形成一复数个载板通孔,并于该第一金属层表面与该载板通孔中形成一第一镀金属层;一内层线路,系蚀刻该第一镀金属层与该第一金属层形成沟渠,未被蚀刻之部分形成该内层线路;一黑氧化内层线路,系于该内层线路表面;一介电层,系以介电物质填入该载板通孔与该沟渠中,并覆盖整个该内层线路形成,再于该介电层表面形成一金属箔之后,再将该金属箔薄化形成一第二金属层;一复数个介电层通孔,且于该介电层通孔中形成一第二镀金属层,并填孔镀铜(Plating Filled Copper)于该介电层通孔中;一线路层,系于该第二金属层上形成一镍金层,且蚀刻部份之该第二金属层形成;一复数个防焊阻剂区域,系于该第二金属层上之非IC结合区直接形成防焊阻剂区域;一复数个黑氧化防焊阻堤,系以一氧化方式直接形成该复数个黑氧化阻堤(Black Oxide Dam)于该第二金属层上。16.如申请专利范围第15项所述之结构,其中载板材料系可为一Bismaleimide Triazine(BT)介电材料或为其它之有机材料甚至可为无机之陶瓷材料,且其厚度约为0.1-0.4mm。17.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该载板表面之该第一金属层材料可为铜(Cu),且其厚度约为12m。18.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该载板上之该复数个载板通孔系以一机械方式或雷射钻孔形成,且该载复数个载板通孔之孔径约为100-250m。19.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该载板通孔中形成之该第一镀金属层材料可为铜(Cu),且其厚度约为15m。20.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该介电层材料可为一Bismaleimide Triazine, BT介电材料或其它介电材料。21.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该介电层通孔之孔径约为100m,且该介电层表面形成之该金属箔材料可为铜(Cu),且其厚度约为12m。22.如申请专利范围第21项所述之结构,其中该金属箔经薄化形成之该第二金属层厚度约为7-9m。23.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该镍金属是以电镀方式形成,其形成之厚度约为5m,且以该镍金属作为覆晶结合凸块之连接区。24.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该线路层系以蚀刻部份之第二金属层,且是以一真空乾膜压合技术或液态光阻剂涂布作为罩幕蚀刻形成。25.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该线路层除了导通电性以外,可同时另外形成一支撑线路(Mesh Pattern)以增加载板抗曲强度,并缩小因受热变形而形成之板翘或板扭量。26.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该防焊阻剂可为一表面涂布之Epoxy感光防焊阻剂。27.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该复数个黑氧化阻堤厚度约为1-3m以下。图式简单说明:第一图(A)为习知覆晶载板结构示意图第一图(B)为本发明之微距覆晶载板结构示意图第二图(A)-第二图(U)为本发明之一种微距覆晶载板的制造方法实施例的详细说明示意图第三图为本发明实施例之微距覆晶载板的结构示意图 |
