| 发明名称 | 非易失存储器 | ||
| 摘要 | 一种可高度按比例缩小的非易失存储器单元(10),它包括制作在三重阱(28)中的存储器单元。选择晶体管(14)可以具有也用作横向双极晶体管(62)的发射极的源(56)。横向双极晶体管(62)用作电荷注入器。电荷注入器提供电子,用来在浮栅(22)上进行电子的衬底热电子注入,以便编程。借助于在所述读出晶体管的源(13)与沟道(25a)之间的衬底上制作电容器(50)作为控制栅(27)的延伸部分,单元的耗尽/反转区可以被延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN1345466A | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
| 申请号 | CN00805606.4 | 申请日期 | 2000.02.25 |
| 申请人 | 硅芯片公司 | 发明人 | D·K·刘;王鼎华 |
| 分类号 | H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/336;H01L29/788 | 主分类号 | H01L21/8247 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗朋;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制作存储器单元的方法，它包含：制作彼此分隔开的第一栅和第二栅；用所述第一和第二栅作为注入掩模；以及在所述栅之间形成注入区而不明显地降低衬底热电子效率。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||