| 发明名称 | 凸块形成方法、半导体装置及其制造方法和半导体芯片 | ||
| 摘要 | 涉及具有高可靠性、适合于狭窄间距的凸块形成方法、半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电路基板及电子设备。本发明的凸块形成方法包括以在垫片12上具有贯通孔22的方式形成抗蚀剂层20、配合贯通孔22的形状形成与垫片12电连接的金属层(凸块34)的工序,把金属层(凸块34)形成为具有用于容纳焊料40的区域(凹部36)的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1359147A | 申请公布日期 | 2002.07.17 |
| 申请号 | CN01141243.7 | 申请日期 | 2001.09.04 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 松岛文明;太田勉;间箇部明 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种凸块形成方法，包括：以具有贯通孔的方式在垫片上形成抗蚀剂层、配合贯通孔的形状形成与所述垫片电连接的金属层的工序，把所述金属层形成为具有用于容纳焊料的区域的形状。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||