| 摘要 |
<p>SEG(Selective Epitaxial Growth of silicon) 공정의 변화없이 SEG 선택성을 향상시키고 결함의 발생을 줄일 수 있는 선택적 애피택셜 성장 공정을 이용한 반도체 장치의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명의 제조 방법은 반도체기판의 하부 구조 상에, 기판의 일부를 노출시키는 질화막 패턴을 형성하고, 질화막 패턴이 형성된 기판의 전면에 산화막을 형성한 후에, 산화막에 대해 전면식각을 실시하여 질화막 패턴 사이의 기판 표면을 노출시키고, 기판에 선택적 에피택셜 성장법을 실시하여 애피택셜 성장막을 형성한다.</p> |
