| 主权项 |
1.一种制造方法,其包括下列步骤:提供一个其中形成有许多渠沟之基材;于该基材上配置光阻结构,该光阻结构充填多条渠沟;以化学机械抛光使配置于该基材上之光阻结构平坦化以控制晶圆上光阻的厚度;及于多条渠沟中凹陷平坦化的光阻,其中使光阻结构平坦化之步骤系于该多条渠沟中建立实质均匀之凹陷深度。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中使该光阻结构平坦化之步骤系包括于选择性化学机械抛光方法中使该光阻结构平坦化。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中系该光阻结构平坦化之步骤系包括实质移除位于该基材主要表面上之光阻结构。4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中于多条渠沟中凹陷光阻之步骤系包括于各向异性蚀刻方法中自该多条渠沟与基材主要表面相邻之部分移除该光阻结构。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中:提供一基材之步骤系包括于该基材主要表面及该多条渠沟之侧壁及底部上配置介电层的步骤;且于多条渠沟中凹陷光阻之步骤系包括曝露位于该多条渠沟之侧壁与基材主要表面相邻之部分上的介电层。6.如申请专利范围第5项之制造方法,其中配置介电层之步骤系包括于该基材上配置含有掺杂剂之介电材料。7.如申请专利范围第6项之制造方法,其另外包括以下步骤:移除位于该基材主要表面上及位于该多条渠沟侧壁与该主要表面相邻之部分上的介电层;及使该基材退火,以使含有掺杂剂之介电材料中之掺杂剂扩散至与该多条渠沟底部相邻之基材内。8.一种于渠沟中达到均匀凹陷深度之方法,其包括下列步骤:于基材中形成多条渠沟;于该基材上形成一光阻结构并充填该多条渠沟;以化学机械抛光抛光该光阻结构,以达到位于该多条渠沟上之光阻结构的均匀厚度;及蚀刻去除部分抛光的光阻结构,以于该多条渠沟中形成凹陷,其中于该多条渠沟上之光阻结构的实质均匀厚度于多条渠沟中建立实质均匀之凹陷深度。9.如申请专利范围第8项之方法,其中抛光该光阻结构之步骤系包括实质移除位于该基材主要表面上之光阻结构。10.如申请专利范围第8项之方法,其中:提供一基材之步骤系包括于该基材之主要表面上及于该多条渠沟之侧壁及底部上配置含有掺杂剂之介电层;抛光该光阻结构之步骤系包括于基材主要表面上提供作为抛光终止层之含掺杂剂介电层;且蚀刻移除部分光阻结构之步骤系包括于多条渠沟中产生凹陷,以曝露位于该多条渠讲侧壁与基材主要表面相邻之部分上的含掺杂剂介电层。11.如申请专利范围第10项之方法,其中抛光该光阻结构之步骤系包括于选择性化学机械抛光方法中抛光该光阻结构。12.如申请专利范围第10项之方法,其另外包括以下步骤:移除位于该基材主要表面上及位于该多条渠沟侧壁与该主要表面相邻之部分上的合掺杂剂介电层;且使该基材退火以使该多条渠沟中之含掺杂剂介电层中的掺杂剂扩散至与该多条渠沟底部相邻之基材内。图式简单说明:图1-9系为本发明制造过程中不同阶段下之半导体基材剖面图。 |
