半导体装置以及其制造方法

摘要

提供一种半导体装置，其中：减少汲极区域及支撑基底间的寄生电容；且缓和汲极区域附近产生的高电场且有高耐压性。根据本发明的MOS电晶体包括：SOI基底的支撑基底区域；于支撑基底区域上形成的埋入式绝缘膜；于埋入式绝缘膜上形成的通道区域；且第一及第二偏移区域系形成于埋入式绝缘膜上以便邻接于通道区域两侧，且进一步包括在支撑基底区域中部分定位于第二偏移区域之下形成的杂质扩散区域。