| 摘要 |
本发明提供一种半导体元件之电容器及其形成方法，本发明之电容器的形成方法包含下列步骤：在一半导体基板上形成一由掺杂矽之材料(dopedsiliconmaterials)制成之下部电极；在下部电极上沈积一薄氮化矽层；在氮化矽层表面上，以氮化矽层之氧化形成一氮氧化矽层(siliconoxynitridelayer)；在氮氧化矽层上沈积一介电层；并且在介电层上形成一上部电极；依据此方法，在氮化矽层沈积在介电层上之后，对所得的构造之进行氧化处理，并且介电层在已被氧化之氮化矽层上形成，藉此改进在下部电极和介电层间之介面特性，并可导致半导体元件电容器之漏泄电流减少和绝缘破坏电压增加。 |
