单一电晶体型随机存取记忆体的制造方法及其电容器结构

摘要

一种与逻辑制程相容之单一电晶体型随机存取记忆体(1T-RAM)的制造方法，其系在一半导体基底之记忆胞区以及逻辑电路区中完成闸极层、源／汲极区、遮蔽层、金属矽化物、蚀刻停止层以及第一介电层之后，于一浅沟槽隔离结构中定义一电容器区域，则该浅沟槽隔离结构的暴露侧壁以及该半导体基底之暴露表面系用作为一电容器下电极板。而后依序沉积一介电层以及一导电层于该电容器下电极板表面上，分别用以作为一电容介电层以及一电容器下电极板。