| 摘要 |
本发明系关于提供一种可实现大容量化或高集成化，且可实现存取速度之高速化的磁性随机存取记忆体。一种MRAM(磁性随机存取记忆体)，其使用交叉点型记忆胞，且采用阶层位元线构造，其特征在于：于读出动作时，将连接于与选择胞为同一副位元线SBL1～SBL8之记忆胞MC11～MC48的字元线RWL1～RWL8电性地保持为浮动状态，于连接于与选择胞为不同之副位元线的记忆胞之字元线中，提供与主位元线MBL1～MBL4相同之电位。藉由使用交叉点型记忆胞，可容易地实现大容量化与高集成化。又，藉由抑制交叉点型记忆胞所固有之读出时之误差电流成分，且将处于非选择状态中之所有副位元线之电位设定为与主位元线相同，可实现读出动作之高速化。 |
