| 主权项 |
1.一种半导体元件,包括:一基底包括一源极与汲极,该源极具有第一边缘且该汲极具有第一边缘;一闸极位于该源极与汲极间,该闸极具有第一部份;以及第一深沟结构位于该闸极的第一部份上且接近该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,尚包括:该源极具有第二边缘且该汲极具有第二边缘;该闸极具有第二部份;以及第二深沟结构位于该闸极的第二部份上且接近该源极的第二边缘与该汲极的第二边缘。3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件,其中该源极与汲极的第一边缘分别大致与该源极与汲极的第二边缘平行,且其中该第一与第二深沟结构分别大致与该第一与第二边缘平行。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构的深度大于0.5m。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构之几何图形系择自于一笔直线、一具角线、一不连续线与上述组合所组成之族群中。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,尚包括:一外边缘位于该源极;一外边缘位于该汲极;以及第一深沟结构之长度至少从该源极的外边缘延伸至从该汲极的外边缘。7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构大体上填充一材料,其系择自于二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、一高介电常数材料与上述组合所组成之族群中。8.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该基底之材料系择自于结晶矽、多晶矽、非晶矽、锗化物、钻石、矽化锗、碳化矽、砷化镓、磷化铟、绝缘体覆矽与上述组合所组成之族群中。9.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该元件包括一应变金属氧化物半导体结构。10.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,尚包括:一邻近的半导体元件;以及第一浅沟隔离结构位于该半导体元件与该邻近的半导体元件间。11.如申请专利范围第10项所述之半导体元件,尚包括:第二浅沟隔离结构邻近该汲极,其中该汲极位于该第一浅沟隔离结构与该第二浅沟隔离结构间。12.如申请专利范围第11项所述之半导体元件,其中该闸极延伸至部分覆盖该第二浅沟隔离结构。13.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,尚包括:一体接触构件邻近该源极。14.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该闸极包括一闸极电极与一闸极介电质。15.如申请专利范围第14项所述之半导体元件,其中该闸极电极的材料系择自于掺杂的多晶矽、金属、金属合金、金属矽化物与上述组合所组成之族群中。16.如申请专利范围第14项所述之半导体元件,其中该闸极介电质的材料系择自于氧化矽、氮氧化矽、高介电常数材料与上述组合述组成之族群中。17.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构延伸环绕该整个元件。18.一种半导体元件,包括:一基底包括一源极与一汲极,该源极具有第一边缘且该汲极具有第一边缘;一闸极电极位于该基底上且介于该源极与汲极间,该闸极电极的第一部份延伸过该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘;以及第一深沟结构位于该闸极电极的第一部份上且接近该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘。19.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,尚包括:该源极具有第二边缘且该汲极具有第二边缘;该闸极电极的第二部份延伸过该源极的第二边缘与该汲极的第二边缘;以及第二深沟结构位于该闸极电极的第二部份上且接近该源极的第二边缘与该汲极的第二边缘。20.如申请专利范围第19项所述之半导体元件,其中该源极的第一边缘大致与该源极的第二边缘平行、该汲极的第一边缘大致与该汲极的第二边缘平行、该第一深沟结构大致与该源极与汲极的第一边缘平行,且该第二深沟结构大致与该源极与汲极的第二边缘平行。21.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构的深度大于0.5m。22.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构之几何图形系择自于一笔直线、一具角线、一不连续线与一上述组合所组成之族群中。23.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,尚包括:一外边缘位于该源极;一外边缘位于该汲极;以及第一深沟结构具有一长度至少从该源极的外边缘延伸至从该汲极的外边缘。24.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构大体上填充一材料,其系择自于二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介电常数材料与上述组合所组成之族群中。25.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该基底之材料系择自于结晶矽、多晶矽、非晶矽、锗化物、钻石、矽化锗、碳化矽、砷化镓、磷化铟、绝缘体覆矽与上述组合所组成之族群中。26.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该元件包括一应变金属氧化物半导体结构。27.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,尚包括:一邻近的半导体元件;以及第一浅沟隔离结构位于该半导体元件与该邻近的半导体元件间。28.如申请专利范围第27项所述之半导体元件,尚包括:第二浅沟隔离结构邻近该汲极,其中该汲极位于该第一浅沟隔离结构与该第二浅沟隔离结构间。29.如申请专利范围第28项所述之半导体元件,其中该闸极电极延伸至部分覆盖该第二浅沟隔离结构。30.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,尚包括:一体接触构件邻近该源极。31.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,尚包括:一闸极介电质邻近该闸极电极。32.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该闸极电极的材料系择自于掺杂的多晶矽、金属、金属合金、金属矽化物与上述组合所组成之族群中。33.如申请专利范围第31项所述之半导体元件,其中该闸极介电质的材料系择自于氧化矽、氮氧化矽、一高介电常数材料与上述组合述组成之族群中。34.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构延伸环绕该整个元件。35.一种半导体元件,包括:一基底具有一源极与一汲极,该源极与该汲极所具有的宽度大体上相等,且该源极与汲极所具有之第一边缘沿着该基底上的共同线(common line);一闸极电极位于该基底上且介于该源极与汲极间,该闸极电极具有第一部份延伸过该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘;以及第一深沟结构位于该闸极电极的第一部份上,该第一深沟结构与该基底上的共同线平行且接近该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘。36.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,尚包括:该源极与汲极各具有第二边缘分别与其第一边缘平行;该闸极电极的第二部份延伸过该源极与该汲极的第二边缘;以及第二深沟结构位于该闸极电极的第二部份上且接近该源极与该汲极的第二边缘。37.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构大体上深于0.5m。38.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,尚包括:一外边缘位于该源极;一外边缘位于该汲极;以及第一深沟结构具有一长度至少从该源极的外边缘延伸至从该汲极的外边缘。39.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构大体上填充一材料,其系择自于二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介电常数材料与上述组合所组成之族群中。40.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,其中该基底之材料系择自于结晶矽、多晶矽、非晶矽、锗化物、钻石、矽化锗、碳化矽、砷化镓、磷化铟、绝缘体覆矽与上述组合所组成之族群中。41.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,其中该元件包括一应变金属氧化物半导体结构。42.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,尚包括:一邻近的半导体元件;以及第一浅沟隔离结构位于该半导体元件与该邻近的半导体元件间。43.如申请专利范围第42项所述之半导体元件,尚包括:第二浅沟隔离结构邻近该汲极,其中该汲极位于该第一浅沟隔离结构与该第二浅沟隔离结构间。44.如申请专利范围第43项所述之半导体元件,其中该闸极电极延伸至部分覆盖该第二浅沟隔离结构。45.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,尚包括:一体接触构件邻近该源极。46.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,尚包括:一闸极介电质邻近该闸极电极。47.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,其中该闸极电极的材料系择自于掺杂的多晶矽、金属、金属合金、金属矽化物与上述组合所组成之族群中。48.如申请专利范围第46项所述之半导体元件,其中该闸极介电质的材料系择自于氧化矽、氮氧化矽、一高介电常数材料与上述组合述组成之族群中。49.如申请专利范围第35项所述之半导体元件,其中该第一深沟结构延伸环绕该整个元件。50.一种半导体元件,包括:一基底具有一源极与一汲极,该源极具有第一边缘且该汲极具有第一边缘;一闸极电极位于该基底上且介于该源极与汲极间,该闸极电极的第一部份延伸过该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘;一电流通道位于一区域中,该区域为该闸极电极延伸过该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘处,该电流通道允许一漏电流在该元件中流动;以及第一深沟结构位于该闸极电极的第一部份上且接近该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘,藉以使该第一深沟结构离该源极的第一边缘与该汲极的第一边缘够近,以大体上消除一流经该电流通道的漏电流。51.一种制造微电子元件的方法,包括:形成一基底包括一源极与一汲极;形成一闸极介于该源极与该汲极间;以及形成一深沟结构位于该闸极的一部份上且接近该源极与汲极的一边缘。图式简单说明:第1图为一上视图,用以说明本揭露一实施例之高能半导体元件结构。第2图为一剖面图,用以说明第1图之高能半导体元件结构沿线2-2之剖面。第3图为一剖面图,用以说明第1图之高能半导体元件结构沿线3-3之剖面。第4图为一上视图,用以说明本揭露另一实施例之高能半导体元件结构。 |
