| 摘要 |
본 발명은 하나 이상의 그래핀과 드레인전극이 비동일 평면을 구비한 형태에서, 하나 이상의 그래핀의 하부에 구비된 하나 이상의 Piezo(피에조)물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것이, 상기 하나 이상의 그래핀의 회로와 교차되는 장벽조정회로의 전압으로 인하여 하나 이상의 그래핀을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하여, 전기의 On/Off를 조절하되, b. 상기 하나 이상의 그래핀과 드레인전극 사이에 하나 이상의 그래핀의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 조절하는 것을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 하나 이상의 그래핀과 드레인전극이 비동일 평면을 구비한 형태에서, 상기 하나 이상의 그래핀의 회로와 교차되는 장벽조정회로의 전압으로 인하여, 상기 장벽조정회로의 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀에 정전기적인 인력을 유발하여, 하나 이상의 그래핀을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하여, 전기의 On/Off를 조절하되, 하나 이상의 그래핀과 드레인전극 사이에 하나 이상의 그래핀의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 조절하는 것을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 하나의 공통 섬 전극에 터널 접합을 통해 연결된 드레인전극과 절연층으로 연결되는 하나 이상의 그래핀으로 구성되는 두 개의 전극으로 구성된 형태에서, 하나 이상의 그래핀의 하부에 구비된 하나 이상의 Piezo(피에조)물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것이, 상기 하나 이상의 그래핀의 회로와 교차되는 장벽조정회로의 전압으로 인하여 하나 이상의 그래핀과 절연층을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하되, a. 전자가 섬 전극에 터널하는 단계, 및 b. 터널이 드레인 전극에 위치하는 단계, 및 c. 전자가 드레인 전극의 페르미 레벨에 도달하는 단계; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀 단일 전자 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 하나 이상의 그래핀과 드레인전극이 비동일 평면을 구비하고 사이에 절연층을 구비한 형태에서, 하나 이상의 그래핀의 하부에 구비된 하나 이상의 Piezo(피에조)물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것이, 상기 하나 이상의 그래핀의 회로와 교차되는 장벽조정회로의 전압으로 인하여 하나 이상의 그래핀과 절연층을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하되, a. 하나의 전자가 하나 이상의 그래핀과 드레인전극의 사이에 구비되는 절연층의 터널을 통과하는 단계, 및 b. 드레인 전극에 도달하는 단계; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 터널링 그래핀 트랜지스터를 제공한다. |
