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1 一种发光装置,其特征为,在同一半导体基板上至少具有层状之雷射光产生部及薄膜层状之第2次高诸波产生光导波通路,将雷射光产主部及光导波通路实贺上配置于同一平面上。2 如申请专利范困第1项之装置,其中,在雷射光产生部与光导波通路之各一端面互相接触。3 如申请专利范围第 1 项之装置.其中,将雷射光产生部与第2次高诸波产生光导波通路之各相对端面中之至少一方之端面,以厚度尺寸为雷射部之振荡波长之一半之光路长度尺寸之介质膜镀敷。4 如申请专利范围第1项之装直,其中,将雷射光产生部与光导波通路之各相对之端面分开相当于雷射部之振荡被长之一羊之距离面形成。5 如申请专利范围第1项之装置,其中,雷射光产生部系由m 一V族化合物半导体结晶薄膜构成,第2次高诸波产生薄膜光导波通路系由I - VI族化合物半导体结晶薄膜构成。n 如申请专利范围第I项之装置,其中,第2次高谐波产生光导波通路系在半导体基板上形成背脊状条纹而构成。7 如申请专利范围第1项之装置,其中,第2次高诸波产生上导波通路包括,由 n 一vl族化合物半导组所形成之包覆层 ; 及具有比构成该包覆层之半导体更小之带隙之n 一'。'I族化合物半导体所形成之非线型光学媒体之光导波通路。H 如申请专利范围第 1项之装置,其中,第2次高谐波产生光导波通路具有背状条纹,而且系由该包覆层及非线型光导波通路所形成,该背脊状条纹由具有比构成非线型光导波通路之半导体更,」、之折射率之I一VI族化合物半导体包围。9 如申请专利范围第1项之装置,其中,非线型光导波通路之膜厚为满足基本波与第2次高谙被之相位整合条件之厚度。l0 如申请专利范围第1项之装置,其中,第2次高谐波产生上导波通路系配置在形于半导体基板上之条纹状构内,而且形成在与该基板面相同之高度。11. 如申请专利范围第 1项之装置,其中,雷射振荡用光谐振器系由内部具有雷射光产生部及第2次高谐波产生光导波通路之相对两端面之反射镜所打成。12 如申请专利范围第1项之装置,其中,第2次高谐波重生光导波通路具有由n 一VI族化合物半导体所形成之多层超格子构13. 如申请专利范围第 1项之装置,其中,该半导体雷射具有由m 一V族化合物半导体所形成之活性层,包覆层及接触层所构成之双异性打造,而具有刻蚀至活性层正上方之包覆层之中间深度之条纹状肋,该肋之两侧端由 O 一VI族化合物半导体层填埋。14 如申请专利范围第1 项之装置,其中,m 一 V族化合物半导体层系由AlGaAs混晶所构成。15 如申请专利范围第l项之装置,其中,m 一V族化合物半导体层系由 lnOaAs P混晶所衍成。16 一种发光装置之型法,其特征为 : 利用n 一VI族化合物半导体之选择性外延主长法型造第2次高谐被产生光导波通路。17 如申请专利范围第16项之制法,其中,该选择性外延生长法系使用 n族及vI族元素之有机化合物作为原料之有机金石气相生长法。18 如申请专利范围第16项或第17项之制法,其中,该有机金属气相生长法在D 一VI族化合物半导体薄膜之外延生长时之基板温度为 300 C以上, 700 C以下,反应气体旦方为300 Torr以下,对I族原料2vI族原料之拱给莫尔比为6以下。19 如申请专利范围第16项或第17项之制法,其中,包括 : 在半导体基板上以结晶成长形成双异性打造之制程 ; 包括该活性层在内将该双异性构造之一部刻蚀去除成对基板表面成为垂直之制程 ; 在该刻蚀去除之基板表面上形成介质膜之制程 ; 沿着雷射振荡之诸振方向将介质膜刻蚀成条纹状之制程 ; 及利用有接金石气相成长法,选择性的只在条纹部份结晶生长I一皿族化合物半导体之制程。20 一种光记忆装置,其特征为: 其光源系使用在同一半导体基扳上至少具有由层状之m 一V族化合物半导体所形成之雷射光产生部,及由薄膜层状之 D 一vI族化合物半导组所形成之第2次高谐波产主光导波通路,将雷射光重生部及升导波通路配置在同一平面上之发光装置。图示简单说明 :第l图为本发明之发光装置之一实施例之透视图。第2图为第1图中A一A线之半导体雷射部之断面图。第3图为第1 图中B一B " 线之第2次高谐波产生导波通路之断面图。第4图为本发明之另一实施例之透视图。第5图为第4图中A一A " 线之半导体雷射部之断面图。第6图为第4m中B一B " 线之第2次高谐被产生光导波通路之所面图。第7图为本发明之另一实施例之第2次高谐波产生光导波通路之断面图。第8图a&g为本发明之发光装置之一实施例之制程图。第9图为表示本发明之光记忆装置之一实施例之概略构成图。第l0图为习用技术中之蓝色发光装置之概略打造图。第l1图为习用技术之其他蓝色发光装置之概略打造图。 |
