| 主权项 |
l﹒一种热印字头,其特征为包括:单结晶半导体基板;在半导体基板之设定领域内导入不纯物而形成之印字驱动电路元件;形成于单结晶基板上而具有发热用低电阻领域之多结晶矽层;将印字鞋动电路元件与多结晶矽层连接之配线用薄膜导体;连接于薄膜导体之外部连接端子;及将印字驱动电路元件及多结晶矽层披覆之绝缘保护层。2﹒如申请专利范围第1项之热印字头,其中,该印字驱动电路元件包括:将从外部连接端子输入之印字资料依次移位之移位暂存器;将存入该位元件中之资料予以门锁电路元件;及根据保持于门锁电路之资料将发热用电流供给于各电阻领域之通电用元件。3﹒如申请专利范围第2项之热印字头,其中,该移位暂存器元件,门锁电路元件及通电用元件系由MOS一FET所构成。4﹒如申请专利范围第2项之热印字头,其中,让移位元件及门锁电路元件系由互补型MOS一FET所构成。s﹒如申请专利范围第2项之热印字头,其中,该通电用元件系由N通道MOS一FET所构成。6﹒如申请专利范围第I项之热印字头,其中,外部连接用端子较绝缘保护层之表面更突出于外方。7﹒一种热印字头,其特征为包括:单结晶半导体基板;在该半导体基板之设定领域内导入不纯物而形成之印字驱动电路元件;形成于单结晶基板上而具有发热用低电阻领域之多结晶矽层;将印字驻动电路元件与多结晶矽层连接之配线用薄膜导体;装设在半导体基板与多结晶矽层之间之隆起层;及将印字驱动电路元件与多结晶矽层披覆之绝结保护层,该绝纸保护层之对应于多结晶矽层之部份其他部份更突出。8﹒如申请专利范围第7项之热印字头,其中,该隆起居系形成为该半导体基体之一部份。9﹒如申请专利范围第7项之热印字头,其中,该隆起层系由玻璃材料形成。10﹒一种热印字头,其特征为包括:单结晶半导体基板;形成于该半导体基板之设定领域之印字驱动电路元件;形成于单结晶基板上之多个发热用多结晶矽元件;将印字驱电路元件与多结晶矽元件之一端连接之多个选择导体;披覆于多结晶矽元件与选择体上之绝缘层;在对应于选择导体之部分绝缘层上沿着选择导体之排列方向形成而将多结晶矽之另一端互相连结之共同导体。11 .一种热印字装置,其特征为具有包括:基板;形成于该基板之设定领域之印字驱动电路元件;由沿着基板之一例缘排列之多个发热元件所构成之发热领域:形成于发热元件与基板间之蓄热用途釉层;将印字驱动电路元件与各发热元件之一端连接之选择导体;将各发热元件之另一端连接之共同导;及连接于驱动电路元件之多个外部连接端子之热印字头,具有将该热印字头载置2例之载置面之指示基板,及将该热印字头接合于该指示基板之接合手段,将该等多値热印字头朝向基板之长度方向错开,使其发热领域位于不重且于相邻之热印字头之发热领域之位置,而且使各基板之一侧缘相对的排列成2列层接合于指示基板上。12﹒如申请专利范围第11项之热印字头装置,其中,在选择导体上形成绝缘层,而将共同导体形成在绝缘居上。13﹒一种热印字头之制法,其特征为包括:在半导体基板上形成绝层之制程;将绝缘层之活性领域去除而形成闸极绝缘体之制程;在绝缘层及闸极绝缘体上生成多结晶矽,利用刻蚀法形成发热用电阻元件及闸极之制程;至少在发热用电阻元件内导入不纯物,提高该发热用电阻元件之不纯物浓度而减小电阻値之理程;在半导体基板之活性领域内导入不纯物之制程;将低电阻金属披着而形成设定之配线导体之制程;及在全面被着具有绝缘性保护膜之制程14.一种热印字头之制法,其特征为包括:形成可分割成多个方块之半导体晶圆之制程;在该半导体晶圆之方块内,根据多値发热用电阻元件及字资料形成使各发热用电阻元件发热之印字驱动电路元件之制程;形成将各方块内之各发热用电阻元件连接于印字驱动电路元件之配线导体及外部连接用导体之制程;将晶圆之全面以保护膜披覆之制程;将对应于各方块内之各外部连接用导体之部份之保护膜去除之理程;及将基板切断成各方块而形成各热印字头之制程。图简单说明:第1图本发明之热印字头之第1实施例之放大断面图。第2图(A)为说明第1图所示发热部之构成之放大平面图。第2图B为表示第2图(A)所示之发热部之另一实施例之放大平面图。第3图为第I图所示热印字头所具有之电路方块图。第4图(A)-(K)为第l图所示热印字头之各型程之放大断面图。第5图为可挠连结器连接于第l图所示热印字头时之状态之平面。第6图为说明第5图之连接方法之侧面图。第7图为表示第1图之热印字头之使用例之侧面图。第8图为本发明热印字头之第2穴施例之放大断面图。第9图为说明第8图之发热部构造之于大断面图。第10图为第8图所示热印字头之电路构成元件之断面图。第11图为表示第9图所发热部之另一实施例之放大断面图。第12图为使用第8图所示之热印头构成之热印字头之平面图。 |
