| 主权项 |
1.用以处理一件以上工作件之系统,包含:(a)一室(22),其界定一室内部,该一件以上之工作件移动至此室内部中供处理,该室具有一个以上之工作件开口(74、76),供于处理前将工作件插入室中,并于处理后自该室移除工作件;该室更包括一个以上之开口,俾容许空气经由一入口流动通道(116)进入该室,且藉经由一第二流动通道(120)抽出该室中之空气而将该室由真空;(b)一压力测感器(132),用以监测该室内之压力且提供代表一感测压力之一压力信号;以及(c)一流动控制器(130),用以监测来自该压力测感器之压力信号,且调整空气经由该第一与第二流动控制通道进出该室之流率,以避免太高流率之空气进出该室引起该室内部之污染。2.依申请专利范围第1项之系统,其中该流动控制器包含来自该压力测感器之压力信号与流经该第一及第二流动控制通道的第一与第二最大流率相关联之装置,且更包括位于该第一与第二流动控制通道内用以控制流率値使其等于或低于该最大流率之装置(110.112)。3.依申请专利范围第1项之系统,其中该流动控制器包含:(a)该第一流动控制通道中之一阀(140);(b)在该第一流动控制通道中该阀上游之一压力测感器(135);(c)在该第一流动控制通道中该阀下游之一压力测感器(136);以及(d)用以调整该阀之设定的装置(130.142),其使经由该阀之流率高于或低于在该阀任一侧之压力差所代表之感测流率。4.依申请专利范围第1项之系统,其中该室具有一工作件开口(76),用以自处于大气压力之一区域接受各工作件,且具有一第二工作件开(74),用以将工作件送至压力低于大气压之一区域。5.用以处理矽晶片之一离子植入系统,包含:(a)一植入室(22),其界定一室内部,供各晶片移动至其中接受处理,该室具有一开口(76),供各晶片于处理前插入该室中,且于处理后自该室移除;(b)一压力室(72),其经由该植入室之开口(74)与该植入室以流体连通,此压力室至少包括一开口,俾容许空气经由入口流动控制通道(116)进入该压力室,且藉由一第二流动控制通道(120)抽出该压力室中之空气而将该压力室抽真空;(c)一压力测感器(132),用以监测该压力室内之压力与提供代表一感测压力之一压力信号;以及(d)一流动控制器(130),用以监测来自该压力测感器之压力信号,且调整空气经由该第一与第二流动控制通道进出该室之流率,以避免太高流率之空气进出该室引起该压力室内部之污染。6.依申请专利范围第2项之系统,其中该流动控制器包含来自该压力测感器之压力信号与流经该第一及第二流动控制通道的第一与第二最大流率相关联之装置,且更包括位于该第一与第二流动控制通内用以控制流率値使其等于或低于该最大流率之装置(110.112)。7.以交替方式将一处理室(22)抽真空与加压,同时避免粒状污染物脱落而污染该室之一方法,包含下列各步骤:(a)界定决定于空气压力,让空气进入或离开该处理室之一临界极大速度;(b)测感该室内之压力,并基于该室之几何形状决定一瞬时空气流率,俾在该室内产生低于该临界极大速度之一空气移动速度;以及(c)调整空气进入或离开该室之流率,俾于加压或抽真空过程中该室内之空气压力改变时产生该瞬时空气流率。8.依申请专利范围第7项之系统,其中该调整步骤之实施系藉设定一流体流动控制器,以调节空气于单位时间进入该室之容积。9.依申请专利范围第7项之系统,其中该步骤之达成系藉测量横跨一阀之压力差并改变阀之设定,以相应于一适当瞬时流率产生一所希之压力差。图示简单说明:图l为一离子植入系统之示意图;图2为一放大立面示意图,图3显示另一安排,其中之离子植入室本身于处理晶片与继而自该离子植入室将其抽出时先抽真空然后再加压;图4显示一程多控制技术之一示意图,图5为图4所示安排之一替代性安排的示意图,图6为一图表,显示一查验技术,使所感测之压力与空气进入该室之最大容许速度相关联,该室受不当之粒子污染。 |
