| 发明名称 | 石墨烯基磁阻传感器 | ||
| 摘要 | 提供一种石墨烯结构。石墨烯结构包括衬底层和设置在衬底层上的至少两层石墨烯层。该至少两层石墨烯层包括栅电压调谐层和有效石墨烯层，并且有效石墨烯层包括一个或多个石墨烯层。石墨烯结构的磁阻比率由栅电压调谐层和有效石墨烯层之间的电荷迁移率和/或载流子密度的差确定。栅电压调谐层的电荷迁移率和/或载流子密度可以由施加至石墨烯结构的栅电压调谐。还提供一种包括石墨烯结构的磁场传感器。 | ||
| 申请公布号 | CN105980872A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201480074598.7 | 申请日期 | 2014.12.26 |
| 申请人 | 新加坡国立大学 | 发明人 | G·卡隆;H·杨;申荣俊;安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗·内托 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I;B82Y25/00(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;宋志强 |
| 主权项 | 一种石墨烯结构，包括：衬底层；以及设置在所述衬底上的至少两层石墨烯层，所述至少两层石墨烯层包括栅电压调谐层和有效石墨烯层，所述有效石墨烯层包括一个或多个石墨烯层，并且其中所述石墨烯结构的磁阻比率由所述栅电压调谐层和所述有效石墨烯层之间的电荷迁移率和/或载流子密度的差确定，并且其中所述栅电压调谐层的电荷迁移率和/或载流子密度通过施加至所述石墨烯结构的栅电压可调谐。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||