发明名称 调谐放大器
摘要 以提供一种调谐放大器,俾在互不干扰下何任意调整调谐频率及最大衰减量,且可调谐同时放大信号为目的;调谐放大器(1)系包含:级联连接的相移电路10C,30C、非反转电路(50)及分压电路(160);及一由回授电阻(70)及输入电阻(74)所构成之加法电路。相移电路10C,30C系在源极.漏极间连接有一由电阻及电容器所构CR电路,并于规定频率执行全体360°之相位位移。将利用非反转电路(50)来放大,进而使藉分压电路(160)来分压之信号回授时之回授回路之开环增益,设定于1以下,藉此来执行一规定之调谐动作;抽出由分压电路(160)分压前之信号作为输出,藉此来执行信号之放大。
申请公布号 TW293202 申请公布日期 1996.12.11
申请号 TW085101900 申请日期 1996.02.15
申请人 池田毅 发明人 大江忠孝;池田毅
分类号 H03F1/44 主分类号 H03F1/44
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1. 一种调谐放大器,系包含:一加法电路,其系包含有一将输入信号输入一方端的输入阻抗元件,及一将回授信号输入一方端的回授阻抗元件;且,用以相加前述输入信号及前述回授信号;两个相移电路,包含有:变换机构,系将所输入之交流信号变换为同相及反相交流信号;及合成机构,系将由前述变换机构所变换的一方之交流信号,透过由电容器或电感器所成之电抗元件,及将另一方之交流信号透过第一电阻,来合成;且于规定之频率进行合计360@bs3之相位位移;一非反转电路,系以规定放大度放大所输入之交流信号同时,以同相输出;及一分压电路,系以规定分压比分压所输入之交流信号;其中,特征在于:将前述两个相移电路、前述非反转电路及前述分压电路之各个级联连接,并把由前述加法电路所相加之信号输入于该等级联连接的多数电路中之初段电路同时,将输出自最终电路之信号当做前述回授信号,输入于前述回授阻抗元件之一方端,抽出输入前述分压电路前之信号作为调谐输出。2. 依据申请专利范围第1项所述之调谐放大器,其中含在前述两个相移电路之各个之前述变换机构,系于源极及漏极之各个,或于发射极及集电极之各个分别连接有电阻値大致相等之第二及第三电阻,同时由一将交流信号输入栅极或基极之电晶体所构成。3. 依据申请专利范围第1项所述之调谐放大器,其中,藉着改变前述两个相移电路之至少一方之相位位移量,使调谐频率成可变。4. 依据申请专利范围第3项所述之调谐放大器,其中,藉着改变含在前述两个相移电路之至少一方的前述电抗元件及由前述第一电阻所成之串联电路之时间常数,使调谐频率成可变。5. 依据申请专利范围第4项所述之调谐放大器,其中,藉使用FET之可变电阻来形成含在前述串联电路之第一电阻,并改变此FET之栅电压,藉此使源极漏极间之通道电阻发生变化。6. 依据申请专利范围第1项所述之调谐放大器,其中,藉电阻来形成前述回授阻抗元件及前述输入阻抗元件,并使此等之电阻比成可变,藉此使最大衰减量发生变化。7. 一种调谐放大器,系包含:一加法电路,其系包含有一将输入信号输入一方端的输入阻抗元件,及一将回授信号输入一方端的回授阻抗元件;且,用以相加前述输入信号及前述回授信号;两个相移电路,包含有:变换机构,系将所输入之交流信号变换为同相及反相交流信号;及合成机构,系将由前述变换机构所变换的一方之交流信号,透过由电容器或电感器所成之电抗元件,及将另一方之交流信号透过第一电阻,来合成;且于规定之频率进行合计180@bs3之相位位移;一相位反转电路,系以规定放大度放大所输入之交流信号同时,将相位反转输出;及一分压电路,系以规定之分压比分压所输入之交流信号;其中,特征在于:将前述两个相移电路、前述相位反转电路及前述分压电路之各个级联连接,并把由前述加法电路所相加之信号输入于该等级联连接的多数电路中之初段电路同时,将输出自最终段电路之信号当做前述回授信号,输入于前述回授阻抗元件之一方段,抽出输入前述分压电路前之信号作为调谐输出。8. 依据申请专利范围第7项所述之调谐放大器,其中,含在前述两个相移电路之各个之前述变换机构,系于源极及漏极之各个,或于发射极及集电极之各个分别连接有电阻値大致相等之第二及第三电阻,同时由一将交流信号输入栅极或基极之电晶体所构成。9. 依据申请专利范围第8项所述之调谐放大器,其中,藉着改变前述两个相移电路之至少一方之相位位移量,使调谐频率成可变。10. 依据申请专利范围第9项所述之调谐放大器,其中,藉着改变含在前述两个相移电路之至少一方的前述电抗元件及由前述第一电阻所成之串联电路之时间常数,使调谐频率成可变。11. 依据申请专利范围第10项所述之调谐放大器,其中,藉使用有FET之可变电阻来形成含在前述串联电路之第一电阻,并改变此FET之栅电压,藉此使源极漏极间之通道电阻发生变化。12. 依据申请专利范围第7项所述之调谐放大器,其中,藉电阻来形成前述回授阻抗元件及前述输入阻抗元件,并使此等之电阻比成可变,藉此使最大衰减量发生变化。13. 依据申请专利范围第1至第12项之任一项所述之调谐放大器,其中,将构成阻件一体形成在半导体基片上。图示简单说明:第1图系显示适用本发明的第一形态之调谐放大器电路图;第2图系显示于第1图中所示的前段相移电路构成之电路图;第3图为一向量图,系显示第2图中所示的相移电路之输入输出电压与出现于电容器等之电压的关系;第4图为一电路图,系显示第1图中所示之后段相移电路之构成者;第5图为一向量图,显示第4图中所示之相移电路之输入输出电压与出现于电容器等之电压的关系;第6图为一电路图,系将两个相移电路之全体取代于一具有一规定传输函数之电路者;第7图系将第6图所示之构成用米勒定理未变换的电路图;第8图系第1图中所示之调谐放大器的特性图;第9图系输入输出于调谐放大器所包含之两个相移电路之信号间的相位关系图;第10图系适用本发明的第二形态之调谐放大器电路图;第11图为一电路图,显示第10图所示之前段相移电路之构成;第12图为一向量图,显示第11图中所示之相移电路之输入输出电压与出现于电感器等之电压的关系;第13图为一电路图,显示第10图中所示之后段相移电路之构成;第14图为一向量图,显示第13图中所示之相移电路的输入输出电压与出现于电感器等之电压的关系;第15图系适用本发明的第三形态之调谐放大器电路图;第16图系显示第三形态之其他构成的电路图;第17图系调谐放大器所含有的两个相移电路与非反转电路之连接形态图;及第18图系调谐放大器所含有的两个相移电路与相位反转电
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