| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：SOI晶片，它包括硅基片、形成于硅基片上部的绝缘膜、第一导电型硅层和形成于所述硅层与所述绝缘膜之间的传导层；形成于所述硅层的场氧化膜，它限定出第一和第二有源区；在所述第一有源区预定部分形成的栅电极；在所述栅电极两侧的第一有源区形成的第二导电型的源/漏区；在所述第二有源区形成的预定导电型的主体电极区。 | ||
| 申请公布号 | CN1160293A | 申请公布日期 | 1997.09.24 |
| 申请号 | CN96123937.9 | 申请日期 | 1996.12.30 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 金载甲 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/8239;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征在于包括：SOI晶片，它包括硅基片、在硅基片上部形成的绝缘膜、第一导电型硅层和在所述硅层与所述绝缘膜之间形成的传导层；场氧化膜，它形成于所述硅层，并限定出第一有源区与第二有源区；栅电极，它形成于所述第一有源区的所述硅层的预定部分；第二导电型源/漏区，它形成于所述栅电极两侧的第一有源区；和形成于所述第二有源区的所述硅层、与所述传导层接触的预定导电型的主体电极区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||