| 主权项 |
1.一种充电泵,包括:许多电晶体,被安排成配合时脉使得从第一电晶体至最后电晶体其电压位准逐渐昇高,该最后电晶体具有一电压位准大体上高于耦合至该许多电晶体之电源供应电压;并且上述之许多电晶体中,至少存在一电晶体具有第一导电型之源极区及汲极区形成于相反导电型之第一井区上,因而形成半导体接面于该第一井区与该源极区及该汲极区之间,且该一电晶体系形成于基板上。2.如申请专利范围第1项所述之充电泵,其中该源极区与该第一井区具有大体上相同之电位者。3.如申请专利范围第1项所述之充电泵,更包括第一导电型之第二井区,其系形成于该第一井区外及该基板上者。4.如申请专利范围第1项所述之充电泵,更包括第一导电型之第二井区,其系形成于该第一井区外及该基板上,该源极区、该第一井区与该第二井区具有大体上相同之电位,从而大致上降低该一电晶体之本体效应者。5.如申请专利范围第4项所述之充电泵,其中该电源供应电压约在5至1.5伏特之范围内。6.如申请专利范围第4项所述之充电泵,其中该电源供应电压大体上等于3伏特者。7.如申请专利范围第4项所述之充电泵,其中该电源供应电压大体上等于2伏特者。8.如申请专利范围第4项所述之充电泵,其中至少一所述之时脉系操作在10MHz以上之频率者。9.如申请专利范围第4项所述之充电泵,其中至少一所述之时脉系在约等于22MHz之频率操作者。10.如申请专利范围第1项所述之充电泵,其中该最后电晶体之该电压位准系正値者。11.如申请专利范围第1项所述之充电泵,其中该最后电晶体之该电压位准系负値者。12.如申请专利范围第1项所述之充电泵,更包括耦合该时脉至所述电晶体之装置者。13.如申请专利范围第12项所述之充电泵,其中该耦合装置包括一金氧半电晶体者。图示简单说明:第一图系本创作之4级充电泵之概观图。第二图显示可用于第一图充电泵之时脉之时序(Timing)图。第三图概要地显示本发明之三重井N型金氧半(NMOS)电晶体之剖视图。第四图系可用于第一图充电泵之4只三重井电晶体之上视图。第五图显示第一图充电泵中许多不同节点(Node)之电压波形(Voltage Profile)。第六图系本发明之负电压充电泵之概观图。 |
