| 主权项 |
1.一种MN薄膜致动镜阵列,其中MN为整数,该薄膜致动镜阵列系用于光学投影系统,该阵列包含:包含具形成之基材顶部之MN开关装置阵列之基材之活性基体;MN致动结构阵列,每一致动结构系提供邻近端及末梢端,且包含第一薄膜电极,薄膜电致换元件及第二薄膜电极,其中于每一致动结构之邻近端之底部系附接于活性基体之顶部,且每一致动结构及其对应之开关装置系位于基材顶部之不同区域;及用以反射入射光束之MN镜阵列,每一镜系位于每一致动结构上。2.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中该薄膜电致换元件系位于每一致动结构之第一及第二薄膜电极间,该电极之一系电连接至地面,且其它电极系电连接至相对应之开关装置。3.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中每一致动结构进一步含有弹性元件。4.如申请专利范围第3项所述之阵列,其中该弹性元件系位于该第二薄膜电极下。5.如申请专利范围第3项所述之阵列,其中该弹性元件系位于该第一薄膜电极上。6.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中每一镜具有附接于该致动结构末梢端顶部之凹部份。7.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中该每一开装装置为金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管。8.如申请专利范围第1项所述之阵列,其进一步包含MN薄膜介电元件阵列,每一该薄膜介电元件系覆盖每一镜之整个顶部平面。9.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中每一镜包含支撑元件,其中有沈积于其顶部之薄膜光反射材料层。10.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中每一致动结构具有二形态结构。11.如申请专利范围第1项所述之阵列,其进一步包含形成于活性基体顶部之钝化层。12.如申请专利范围第11项所述之阵列,其进一步包含形成于该钝化层顶部之蚀刻剂制止层。13.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中该薄膜电致换元件系由压电材料制成。14.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中该薄膜电致换元件系出电缩材料制成。15.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中每一镜系位于相对应之致动结构及其开关装置上。16.如申请专利范围第1项所述之阵列,其中每一镜系位于邻近致动结构及其开关装置上。17.一种制备用于光学投影系统之MN薄膜致动镜阵列之方法,该方法之步骤包含:提供包含具有形成于其顶部上之MN开关装置阵列之基材之活性基体;将沈积于该活性基体顶部上之薄膜牺牲层模制于MN空槽阵列内,每一该空槽系曝露每一位于基材上之开关装置;连续将第二薄膜及薄膜电致换层沈积于包含该空槽之该薄膜牺牲层之顶部;各别将该薄膜电致换层及该第二薄膜层模制于MN薄膜电致换元件阵列及MN第二薄膜电极阵列内,其中每一该模制薄电致换元件及该第二薄膜电极不重叠每一开关装置;形成MN第一薄膜电极阵列及接触元件阵列,其中每一第一薄膜电极系位于该薄膜电致换元件之顶部,且每一接触元件系以其能以其相对应开关装装电连接第二薄膜电极之方式配置之,移除该薄膜牺牲层,如此,形成MN致动结构阵列,每一致动结构具有邻近端及末梢端;及于MN致动结构顶部形成MN镜阵列,藉此,形成MN薄膜致动镜阵列。18.如申请专利范围第17项所述方法,其进一步包含:于将该薄膜牺牲层模制于MN空槽阵列内之后,形成弹性层。19.如申请专利范围第17项所述方法,其中该每一镜系由下述方法形成之:以牺牲材料覆盖MN致动结构阵列,藉此形成覆盖结构;于该覆盖结构上产生MN空槽阵列,每一空槽系自该覆盖结构之顶部延伸至该每一致动结构之末梢端之顶部;将镜层沈积于包含该空槽之该牺牲材料之顶部;使该镜层模制于MN镜阵列内;及移除该牺牲材料。20.如申请专利范围第17项所述方法,其进一步包含:形成钝化层于该活性基体顶部上。21.如申请专利范围第20项所述方法,其进一步包含:于形成钝化层后形成蚀刻剂制止层。22.如申请专利范围第17项所述方法,其进一步包含:于沈积该镜层之后,于每一镜之顶部形成薄膜介电元件。23.如申请专利范围第17项所述方法,其进一步包含:于沈积该电致换层之后,连续形成额外电极层及额外电致换层,形成具有二形态结构之每一薄膜致动镜。24.一种MN薄膜致动镜阵列,其中M及N为整数,其系用于光学投影系统,该阵列包含:活性基体,其包含具有形成于基材顶部之MN金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管之阵列之基材;MN致动结构阵列,每一致动结构提供邻近端及末梢端,且包含第一薄膜电极,薄膜电致换元件,第二薄膜电极及弹性元件,其中,该第一薄膜电极系位于该薄膜电致换元件顶部,且电接连至地面,该薄膜电致换元件系配置于该第二薄膜电极,该第二薄膜电极系形成于该弹性元件顶部且电连接至相对应晶体管,该弹性元件系位于该第二薄膜电极底部且其邻近端底部系附接于该活性基体顶部上,且每一致动结构及其相对应MOS晶体管系位于基材顶部之不同区;及用以反射入射光束之MN镜阵列,每一镜具有凹部份,其系附接于致动结构末构端顶部。图式简单说明:第一图A至第一图G表示例示先前揭示之制备MN薄膜致动镜阵列之方法的截面图;第二图系依据本发明第一实施例之MN薄膜致动镜阵列之截面图;第三图A至第三图I系制备第二图所示MN薄膜致动镜阵列之方法之截面图;第四图显示据本发明之第二实施例之MN薄膜致动镜阵列之截面图;及第五图提供据本发明第三实施例之MN薄膜致动镜阵列之截面图。 |
