一种硅酸钇镥晶体的表面修形方法

摘要

本发明提供的硅酸钇镥晶体的表面修形方法，包括以下步骤：分别利用磨料对硅酸钇镥晶体进行N次研磨，再利用抛光料进行抛光，N为≥2的正整数。磨料中含有粒径为5微米～80纳米的刚玉，且第N次研磨采用的磨料中的刚玉的粒径小于第N‑1次研磨采用的磨料中的刚玉的粒径。抛光料含有粒径为1～3微米的二氧化铈。利用本发明中的加工方法，可以将硅酸钇镥晶体表面的面形精度控制在100nm以下，并且表面粗糙度低于<0.5nm，可满足正电子发射计算机断层扫描装置对其的要求。

主权项

一种硅酸钇镥晶体的表面修形方法，其特征在于，包括以下步骤：分别利用磨料对硅酸钇镥晶体进行N次研磨，再利用抛光料进行抛光，N为≥2的正整数；所述磨料中含有粒径为5微米～80纳米的刚玉，且第N次研磨采用的所述磨料中的所述刚玉的粒径小于第N‑1次研磨采用的所述磨料中的所述刚玉的粒径，所述抛光料含有粒径为1～3微米的二氧化铈。