| 主权项 |
1.一种降低离子植入机交互污染之方法,该离子植入机至少包括一晶体反应室、该晶体反应室具有一晶体及复数个阀门,该方法包括下列步骤:a.关闭该晶体反应室之该些阀门;b.藉由一气源将一气体通入该晶盘反应室,该气体可与该晶盘上欲清除之一污染物进行反应;c.将该气源关闭;d.将该气体与污染物反应后的一生成物利用一真空帮浦抽离该晶盘反应室;以及e.重覆a-d数次,藉以完成清除该晶盘上的该污染物。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该气体包括氧,该污染物包括磷离子,且该生成物包括氧化磷。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该气体之压力包括5psi。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤b中,其反应时间约3-5分钟。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤e时间约12-18分钟。图式简单说明:第一图A系显示离子植入机的示意图。第一图B系显示一种机械式扫描装置的概念图。第二图A至第二图C系显示的是应用本发明之一较佳实施例,一种降低离子植入机污染的方法。 |
