| 主权项 |
1.一种在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,系包括:a.进行埋层离子布植,以做为电容器下电极;b.进行热氧化步骤,制作出电容器介电层;c.覆盖一层矽薄膜;d.进行热扩散,将N型半导体物质掺杂入所述矽薄膜内;e.覆盖一层金属矽化物在所述矽薄膜上;f.以N型半导体离子对所述矽薄膜及金属矽化物进行离子布植;g.利用微影及蚀刻技术,将所述矽薄膜及金属矽化物制作成电容器上电极。2.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,在进行埋层离子布植之前,更包含一在半导体基板上形成一层光阻,利用微影技术曝光后露出预备形成电容器的区域之步骤。3.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,埋层离子布値是以N型半导体离子对半导体基板进行离子布植。4.如申请专利范围第3项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述N型半导体离子为砷离子。5.如申请专利范围第3项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述N型半导体离子的布植能量在60KeV至120KeV之间。6.如申请专利范围第3项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述N型半导体离子的布植剂量在2E14离子/平方公分至5E15离子/平方公分之间。7.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述热氧化步骤之炉管温度在750℃至950℃之间。8.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述热氧化步骤所形成电容器介电层的厚度在100埃至750埃之间。9.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述矽薄膜为复晶矽。10.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述矽薄膜的厚度在1000埃至2500埃之间。11.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述热扩散系进行磷的掺杂。12.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述热扩散的炉管温度在800℃至950℃之间13.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述热扩散的扩散剂量的衡量标准是使所述矽薄膜的片电阻介于30/到50/之间。14.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述金属矽化物为金属复晶矽化物。15.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述金属矽化物的厚度在1000埃至2500埃之间。16.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述N型半导体离子通常为砷离子。17.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述N型半导体离子的布植能量在60KeV至120KeV之间。18.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成低电容电压系数之电容器的方法,所述N型半导体离子的布植剂量在5E15离子/平方公分至1E16离子/平方公分之间。图式简单说明:第一图是以传统电容器制程(晶片1.2.3)和本发明制程(晶片4.5.6)所形成极板大小100*100平方微米的电容器之电容电压系数比较图。第二图是以传统电容器制程(晶片1.2.3)和本发明制程(晶片4.5.6)所形成极板大小40*40平方微米的电容器之电容电压系数比较图。第三图是本发明进行埋层离子布植的剖面示意图。第四图是本发明进行热氧化步骤的剖面示意图。第五图是本发明覆盖矽薄膜的剖面示意图。第六图是本发明覆盖金属矽化物的剖面示意图。第七图是本发明以N型半导体离子做离子布植的剖面示意图。第八图是本发明制作电容器上电极的制程示意图。 |
