超高频电子元件及其制造方法

摘要

一种超高频电子元件，其具有包覆于模制树脂包封内之超高频晶片。此超高频电子元件含有包覆超高频晶片之第1密封层及包覆第1密封层之第2密封层，第1密封层内含有许多空隙(voids)或细微之气泡而有效地减少第1密封层之介电系数。另外，亦叙述超高频元件之制造方法。

主权项

荻原全夫 日本村田智司 日本田劝 日本