| 主权项 |
1.一种积体电路电阻之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上,形成一耐熔性金属氧化层;以及进行氢处理,选择性转换部分该耐熔性金属氧化层成为一电阻。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括TiO2。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括Ta2O5。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括Fe2O3。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括BaTiO3。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该氢处理包括氢电浆处理。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该氢处理包括氢热处理。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包括:该氢处理步骤前,在该耐熔性金属氧化层上形成一罩幕层;以及该氢处理步骤后,移除该罩幕层。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该罩幕层具有一接触孔洞,该接触孔洞下方之该耐熔性金属氧化物层于该氢处理步骤时被转换成该电阻。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该罩幕层包括光阻层。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该罩幕层包括扩散阻障层。12.一种积体电路电阻之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上,形成一耐熔性金属氧化层;进行第一阶段氢处理,选择性转换部分该耐熔性金属氧化层成为一第一电阻;以及进行第二阶段氢处理,选择性转换部分该耐熔性金属氧化层成为一第二电阻。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括TiO2。14.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括Ta2O5。15.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括Fe2O3。16.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括BaTiO3。17.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该第一阶段与第二阶段氢处理包括氢电浆处理。18.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该第一阶段与第二阶段氢处理包括氢热处理。19.如申请专利范围第12项所述之制造方法,更包括:该第一阶段氢处理步骤前,在该耐熔性金属氧化层上形成一第一罩幕层;以及该第一阶段氢处理步骤后,移除该第一罩幕层。20.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该第一罩幕层具有一第一接触孔洞,该第一接触孔洞下方之该耐熔性金属氧化物层于该第一氢处理步骤时被转换成该第一电阻。21.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,该第一罩幕层包括光阻层。22.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,该第一罩幕层包括扩散阻障层。23.如申请专利范围第12项所述之制造方法,更包括:该第二阶段氢处理步骤前,在该耐熔性金属氧化层上形成一第二罩幕层;以及该第二阶段氢处理步骤后,移除该第二罩幕层。24.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中,该第二罩幕层具有一第二接触孔洞,该第二接触孔洞下方之该耐熔性金属氧化物层于该第二氢处理步骤时被转换成该第二电阻。25.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中,该第二罩幕层包括光阻层。26.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中,该第二罩幕层包括与扩散阻障层。27.一种积体电路电阻之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上,形成一耐熔性金属氧化层;以及进行多阶段氢处理,选择性转换部分该耐熔性金属氧化层成为复数种电阻。28.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括TiO2。29.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括Ta2O5。30.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括Fe2O3。31.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括BaTiO3。32.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中,该些阶段氢处理包括氢电浆处理。33.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中,该些阶段氢处理包括氢热处理。图式简单说明:第一图A至第一图C绘示依照本发明第一较佳实施例之一种积体电路电阻之制造流程剖面示意图;以及第二图A至第二图E绘示依照本发明第二较佳实施例之一种积体电路电阻之制造流程剖面示意图。 |
