| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包括:一金属配线形成步骤,形成金属配线于半导体晶圆上;一清洗步骤,配置多个已经形成配线图形的半导体晶圆并且以一种清洗溶液清洗这些晶圆;一甩乾步骤,高速旋转以甩乾附着于清洗后半导体晶圆上的清洗溶液;和一洗净步骤,以纯水洗净去除清洗溶液的半导体晶圆。2.根据申请专利范围第1项的制造方法,其中在甩乾步骤中,当一种惰性气体被喷洒在晶圆上时,半导体晶圆被以高速旋转。3.根据申请专利范围第1项的制造方法,其中在甩乾步骤中,当一种经加热的惰性气体被喷洒在晶圆上时,半导体晶圆被以高速旋转。4.根据申请专利范围第1项的制造方法,其中包含:在甩乾步骤之后,但是在洗净步骤之前,以微酸性溶液洗净这些半导体晶圆的步骤(预洗步骤)。5.根据申请专利范围第1项的制造方法,其中在清洗步骤中,半导体晶圆系以喷洒清洗溶液在晶圆上的方式清洗。6.根据申请专利范围第5项的制造方法,其中在洗净步骤中,纯水被喷洒在半导体晶圆上以洗净晶圆。7.根据申请专利范围第1项的制造方法,其中的清洗溶液是一种含有氟化物的清洗溶液。8.根据申请专利范围第7项的制造方法,其中金属配线是一种铝基的配线。9.一种清洗装置具有:一夹持和旋转装置,用以夹持多个配置好的铝基金属配线图形于其上的半导体晶圆和旋转这些半导体晶圆;一供给清洗溶液的装置,用以喷洒含氟化物的清洗溶液于半导体晶圆之上;一供给纯水的装置,用以喷洒纯水于半导体晶圆之上的装置;及一供给惰性气体的装置,用以喷出惰性气体于半导体晶圆上。10.根据申请专利范围第9项的清洗装置,其中具有一种喷洒经加热之惰性气体于半导体晶圆上的装置。11.根据申请专利范围第9项的清洗装置,其中具有一种喷洒微酸性溶液于半导体晶圆上的装置(微酸性溶液供给装置)。12.根据申请专利范围第9项的清洗装置,其中纯水供给装置具有一种供给溶液转换装置,用以先供给微酸性溶液,再供给纯水。图式简单说明:第一图为本发明中所用一种清洁装置处理室的具体实施例的图形构造。第二图为本发明范例中铝蚀刻速率的改变和所使用清洗溶液浓度的关系图。 |
