| 摘要 |
<p>Bei einem Reinigungsverfahren einer monokristallinen Silizium-Halbleiterscheibe (1) von Platin-Verunreinigungen oder anderen Metall- und/oder Seltenerdmetall-Substanzen wird an einer Hauptoberfläche eine Getter-Schicht (15) durch Einbringen vorbestimmter Ionen erzeugt, in einem Temperaturbehandlungsschritt werden die unerwünschten Substanzen zusammen mit den eingebrachten Ionen an Kristallversetzungen unter Bildung von Komplexen gegettert, und in einem anschliessenden nasschemischen Ätzschritt wird die Getter-Schicht (15) von der Hauptoberfläche entfernt.</p> |
