发明名称 一种用于半导体制程废气处理系统之冷凝装置
摘要 本发明系提供一种用于半导体制程废气处理系统之冷凝装置,该冷凝装置包含有一封闭式圆柱状壳体,一入气口设置于靠近该圆柱状壳体底端之垂直侧壁上,一排气口设置于该圆柱状壳体之顶端上,复数个扇形气槽设置于该圆柱状壳体内部,且各该扇形气槽系由该圆柱状壳体之中心轴延伸至该圆柱状壳体之垂直侧壁内侧表面,以及一冷却管路以一非等管距之螺旋方式环绕于该圆柱状壳体外部之垂直侧壁上。
申请公布号 TW488958 申请公布日期 2002.06.01
申请号 TW090117744 申请日期 2001.07.20
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 蔡英彦;刘俊霖;郑国宏;杨文森
分类号 B01D53/34 主分类号 B01D53/34
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路三八九号五楼
主权项 1.一种用于半导体制程废气处理系统(furnaceprocessing gas treatment system)之冷凝装置(cold trap),该冷凝装置包含有:一对称于一中心轴(central line)之封闭式圆柱状壳体(closed cylindrical housing);一第一隔板(baffle),设置于该圆柱状壳体内,且该第一隔板系由该中心轴延伸至该圆柱状壳体之垂直侧壁内侧表面;一第二隔板,设置于该圆柱状壳体内之该第一隔板之一侧,该第一隔板系由该中心轴延伸至该圆柱状壳体之垂直侧壁内侧表面,连接至该圆柱状壳体之底端,且该第二隔板与该第一隔板形成一第一气槽,并且与该圆柱状壳体顶端形成一第一间距;一第三隔板,设置于该圆柱状壳体内之该第二隔板之另一侧,该第二隔板系由该中心轴延伸至该圆柱状壳体之垂直侧壁内侧表面,连接至该圆柱状壳体之顶端,且该第三隔板与该第二隔板形成一邻接该第一气槽之第二气槽,而且该第三隔板与该圆柱状壳体之底端形成一第二间距;一第四隔板,设置于该圆柱状壳体内之该第一隔板之另一侧,该第四隔板系由该中心轴延伸至该圆柱状壳体之垂直侧壁内侧表面,且该第四隔板与该第一隔板形成一第三气槽;一入气口(gas inlet),设置于环绕于该第一气槽外之该圆柱状壳体之一邻近于该圆柱状壳体之底端之垂直侧壁上;一排气口(gas outlet),设置于覆盖于该第三气槽上方之该圆柱状壳体之顶端上;以及一冷却装置,环绕于该圆柱状般体之垂直侧壁上。2.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该第一气槽、该第二气槽与该第三气槽系为一扇形气槽,且该第一气槽、该第二气槽与该第三气槽具有一约为60度之夹角。3.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该第一间距约为6公分。4.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该第二间距约与该第一间距相等。5.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该冷凝装置于未包含有该第一气槽之该第二气槽与该第三气槽之间另设置有复数个第四隔板。6.如申请专利范围第5项之冷凝装置,其中各该第四隔板系由该中心轴延伸至该圆柱状壳体之垂直侧壁内侧表面,并依照一交替顺序连接至该圆柱状壳体之底端或顶端,且各该第四隔板与该圆柱状壳体之顶端或底端之间形成一第三间距。7.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该第一间距与该第二间距约大于该第三间距。8.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该冷却装置为一承载有冷却流体之管路,该冷却装置系以一螺旋方式环绕于该圆柱状壳体之垂直侧壁上,且该冷却装置的温度约为10℃。9.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中邻近该圆柱状壳体之顶端之该冷却装置排列较为分散,而邻近该圆柱状壳体之中间部份之该冷却装置排列较为致密。10.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该圆柱状壳体之内侧具有一粗糙表面。11.如申请专利范围第1项之冷凝装置,其中该第一隔板、该第二隔板、该第三隔板以及各该第四隔板具有一粗糙表面。12.一种用于半导体制程废气处理系统之冷凝装置,该冷凝装置包含有一封闭式圆柱状壳体,一入气口设置于靠近该圆柱状壳体底端之垂直侧壁上,一排气口设置于该圆柱状壳体之顶端上,复数个扇形气槽设置于该圆柱状壳体内部,且各该扇形气槽系由该圆柱状壳体之中心轴延伸至该圆柱状壳体之垂直侧壁内侧表面,以及一冷却装置环绕于该圆柱状壳体外部之垂直侧壁上。13.如申请专利范围第12项之冷凝装置,其中该复数个扇形气槽包含有一连接至该入气口之第一气槽,该第一气槽系由一第一隔板以及一第二隔板所构成的二侧边与其他扇形气槽分隔开来,而且该第一气槽另包含有一第三隔板,该第三隔板系等分由该第一隔板与该第二隔板所形成之夹角。14.如申请专利范围第13项之冷凝装置,其中该第三隔板系连接至该圆柱状壳体之底端,并且与该圆柱状壳体之顶端相隔约为6公分。15.如申请专利范围第13项之冷凝装置,其中该第三隔板与该第一、第二隔板所夹之角度约为60度。16.如申请专利范围第12项之冷凝装置,其中该复数个扇形气槽包含有一连接至该排气口之第二气槽,该第二气槽系邻接该第一气槽并具有一约为60度之夹角。17.如申请专利范围第12项之冷凝装置,其中该冷却装置为一承载有冷却流体之管路,该冷却装置系以一螺旋方式环绕于该圆柱状壳体之垂直侧壁上,且该冷却装置的温度约为10℃。18.如申请专利范围第12项之冷凝装置,其中邻近该圆柱状壳体之顶端之该冷却装置排列较为分散,而邻近该圆柱状壳体之中间部份之该冷却装置排列较为致密。19.如申请专利范围第12项之冷凝装置,其中该圆柱状壳体之内侧具有一粗糙表面。20.如申请专利范围第12项之冷凝装置,其中各该扇形气槽以及该第一隔板、该第二隔板、该第三隔板具有一粗糙表面。图式简单说明:图一为习知LPCVD氮化矽废气处理系统配置示意图。图二为习知冷凝装置之结构示意图。图三为习知冷凝装置之结构外视图。图四为习知冷凝装置之结构剖视图。图五为习知冷凝装置外侧之冷却管路配置图。图六为本发明之冷凝装置之结构示意图。图七为本发明之冷凝装置之结构上视图。图八为本发明之冷凝装置之结构剖视图。图九为本发明之冷凝装置外侧之冷却管路配置图。
地址 新竹科学工业园区新竹市力行二路三号
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